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하기 화학식 2로 표현되는 게이트 유전체 형성 또는 포토리소그래피 공정 상의 네거티브 포토레지스트 형성을 위한 화합물:[화학식 2]여기서, R1, 및 R2는 상호 동일 또는 상이하게, 메틸, 비닐, C1~C5 메르캅토알킬, 또는 C5~C9 메타아크릴로일알킬이지만, 동시에 메틸은 아니고; n은 10~1000이다
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청구항 2에 있어서, 점도가 5~1000 cP 범위 이내인 액상 고분자인 것을 특징으로 하는 화합물
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청구항 2에 있어서, 유전상수가 3 ~ 6 범위 이내인 화합물
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기질 상에 소스 및 드레인 전극을 증착하여 형성하는 단계;상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 기질 상에 스핀코팅 또는 증착하여 유기 반도체층을 형성하는 단계;상기 유기 반도체층 상에 게이트 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 게이트 유전체층 상에 게이트 전극을 증착하여 형성하는 단계를 포함하는 탑게이트형 유기전계효과 트랜지스터 제조방법에 있어서,상기 게이트 유전체층을 형성하는 단계는,청구항 2의 물질을 용매 없이, 상기 유기반도체층 상에 코팅하는 단계; 상기 코팅된 물질을 포토마스크를 통하여 광경화하는 단계; 및현상하는 단계를 순차적으로 포함하는 것임을 특징으로 탑게이트형 유기전계효과 트랜지스터 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 유기반도체층 상에 용매 없이 청구항 2의 물질을 코팅하는 방법은, 스핀코팅, 또는 드랍캐스팅인 것을 특징으로 하는 탑게이트형 유기전계효과 트랜지스터 제조방법
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청구항 5에 있어서, 상기 기질은, 실리콘, 또는 폴리이미드인 것을 특징으로 하는 탑게이트형 유기전계효과 트랜지스터 제조방법
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기질;소스 및 드레인 전극을 구비하는 유기반도체층;상기 유기 반도체층 상에 안치되고 청구항 2의 화합물이 광경화되어 형성되는 게이트 유전체층; 및상기 게이트 유전체 상에 안치되는 게이트 전극을 포함하는 탑게이트형 유기전계효과 트랜지스터
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