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박막 트랜지스터 절연막용 조성물, 이를 포함하는 절연막 및 유기박막 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019025374
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터 절연막용 조성물, 이를 포함하는 절연막 및 유기박막 트랜지스터에 관한 것으로, 본 발명에 따른 조성물로부터 형성된 박막 트랜지스터용 절연막은 낮은 표면에너지와 더불어 양호한 유전율을 나타내고, 이를 적용한 유기박막 트랜지스터는 상기 절연막 상부에 형성되는 유기 반도체의 모폴로지를 개선시킴으로써, 누설 전류 밀도가 감소되고, 전하 이동도가 향상되며, 전류 점멸비가 향상된 효과가 있다.
Int. CL C08F 22/12 (2006.01.01) C08F 2/44 (2006.01.01) C08K 5/17 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 51/05 (2006.01.01)
CPC C08F 22/12(2013.01) C08F 22/12(2013.01) C08F 22/12(2013.01) C08F 22/12(2013.01) C08F 22/12(2013.01) C08F 22/12(2013.01) C08F 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1020160058108 (2016.05.12)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1783420-0000 (2017.09.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20171011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.05.12)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤호 대한민국 대전광역시 유성구
2 유성미 대한민국 대전광역시 동구
3 김소희 대한민국 대전광역시 동구
4 이미혜 대한민국 대전광역시 유성구
5 가재원 대한민국 대전광역시 유성구
6 김진수 대한민국 대전광역시 유성구
7 원종찬 대한민국 대전광역시 서구
8 장광석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0453634-84
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.09.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.09 수리 (Accepted) 9-1-2016-0049888-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0259362-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2017-0558772-95
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0558790-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
9 등록결정서
Decision to grant		 2017.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0645110-56
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번호 청구항
1 1
폴리(에틸렌-알트-말레익 안하이드라이드)(PEMA;Poly(ethylene-alt-maleic anhydride)) 73 중량% 내지 92 중량%, 가교제 5 중량% 내지 20 중량% 및 하기 화학식 1로 표시되는 반복단위를 포함하는 고분자 화합물 1 중량% 내지 10 중량%를 포함하는, 박막 트랜지스터 절연막용 조성물:[화학식 1](상기 화학식 1에서,R1은 C1 내지 C22의 직쇄 또는 측쇄 알킬기이다)
2 2
제1항에 있어서,상기 화학식 1의 R1은 C6 내지 C18의 직쇄 또는 측쇄 알킬기인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 절연막용 조성물
3 3
제1항에 있어서,상기 폴리(에틸렌-알트-말레익 안하이드라이드)의 중량평균 분자량(MW)은 100,000 내지 500,000이고, 상기 고분자 화합물의 수평균 분자량(Mn)은 30,000 내지 50,000인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 절연막용 조성물
4 4
제1항에 있어서,상기 가교제는 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 절연막용 조성물:[화학식 2]NH2-A-NH2(상기 화학식 2에서,A는 C6 내지 C14의 아릴렌, C2 내지 C8의 직쇄 알킬렌, C5 내지 C7의 사이클로알킬렌으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종이다)
5 5
제1항의 조성물로부터 형성된 박막 트랜지스터용 절연막
6 6
제5항에 있어서,상기 절연막은 표면의 일부에 상기 고분자 화합물의 R1 기능기가 존재하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터용 절연막
7 7
제5항에 있어서,상기 절연막의 두께는 10 nm 내지 400 nm인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터용 절연막
8 8
제1항의 조성물을 기판 상에 도포하여 열처리하는 단계(단계 1);를 포함하는 박막 트랜지스터용 절연막 제조방법
9 9
기판 상에 형성된 게이트 전극;상기 게이트 전극 및 상기 기판 상에 형성된 제5항의 절연막을 포함하는 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상에 형성된 유기 반도체;상기 유기 반도체 상에 형성된 소스 전극; 및 드레인 전극;을 포함하는, 유기박막 트랜지스터
10 10
제9항에 있어서,상기 유기 반도체는 DNTT(Dinaphtho[2,3-b:2′,3′-f]thieno[3,2-b]thiophene), 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 올리고티오펜(oligo thiophene), 폴리티오펜(polythiophene), 금속 프탈로시아닌(metal phthalocyanine), 폴리페닐렌(polyphenylene), 폴리비닐렌페닐렌(polyvinylenephenylene), 폴리플루오렌(polyfluorene) 및 풀러렌(C60)으로 이루어지는 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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1 US10158078 US 미국 FAMILY
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1 US10158078 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2017331042 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국화학연구원 원천기술개발사업 유연절연박막소재 개발
2 미래창조과학부 한국화학연구원 기관고유사업 모바일산업용 고내열 핵심 화학소재 개발