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(a) 롤-투-롤 프린팅(roll-to-roll printing) 방법을 이용하여, 투명 기판(transparent substrate)의 하면에 마스크(mask) 용액을 인쇄하여 IPL(intense pulsed light)에 대한 불투과 영역을 제공하는 마스크 패턴(mask pattern)층을 제작하는 단계;(b) 상기 투명 기판의 상면에 전도성 용액을 도포하여 전도층을 형성시키는 단계;(c) 상기 마스크 패턴층이 제작된 상기 투명 기판의 하면에 IPL(intense pulsed light)을 조사하여 광소결된 전도층 패턴을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 단계 (c)에서 상기 마스크 패턴층에 의해 IPL이 불투과되어 미소결된 전도층 및 상기 마스크 패턴층을 세척을 통해 각각 제거하는 단계를 포함하고,상기 단계 (a)는,상기 투명 기판의 하면에 상기 마스크 용액을 인쇄하기 전, 상기 투명 기판의 상, 하면을 표면 클리닝(cleaning) 또는 표면 처리하는 단계를 포함하며,상기 단계 (b)는,상기 투명 기판의 상면에 상기 전도성 용액을 도포한 후, 상기 전도성 용액을 건조시키는 단계를 포함하고,상기 단계 (d)는,미소결된 전도층 및 상기 마스크 패턴층을 제거한 후, 상기 투명 기판을 건조시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소결 방법을 이용한 전도성 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 마스크 용액은 가시광선 차단제, 적외선 차단제 및 금속 분말로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 형성방법
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제 2항에 있어서,상기 가시광선 차단제는 질화지르코늄(ZrN), 질화하프늄(HfN), 질화붕소(BN), 질화알루미늄(AlN), 질화규소(Si3N4), 질화티타늄(TiN), 질화탄탈륨(TaN, Ta2N), 질화바나듐(VN), 질화크롬(CrN, Cr2N), 질화몰리브덴(Mo2N), 질화니오브(NbN) 및 질화텅스텐(WN, W2N)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 형성방법
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제 2항에 있어서,상기 적외선 차단제는 안티몬산화주석(Antimony-Doped Tin Oxide, ATO), 산화몰리브덴(MoO,Mo2O3) 및 산화아연(ZnO)으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 형성방법
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제 2항에 있어서,상기 금속 분말은 알루미늄(Al), 니켈(Ni) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 형성방법
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제 1항에 있어서,상기 전도성 용액은 와이어(wire), 막대(rod) 또는 구(globular shape)의 형태를 가지는 나노 금속 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 형성 방법
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제 6항에 있어서,와이어 형태를 가지는 상기 나노 금속 분말은 10 내지 100 ㎚ 범위의 직경 및 1 ㎛ 내지 1 mm 범위의 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 형성 방법
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제 6항에 있어서,상기 나노 금속 분말은 구리(Cu), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag) 및 백금(Pt)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속으로 이루어진 1종 이상의 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 형성방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (b)는 바 코팅(bar coating), 슬롯 다이 코팅(slot die coating), 및 스프레이 코팅(spray coating)으로부터 선택되는 1종 이상의 방법을 이용하여 상기 전도성 용액을 도포하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 형성방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (b)에서는 상기 전도성 용액을 1 내지 5 회 반복하여 도포하는 것을 특징으로 하는 전도성 패턴의 형성방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (c)에서는 0
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