맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

전자 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019026146
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 한 실시예에 따른 전자 소자는 기판, 기판 위에 형성되어 있으며, 복수의 고분자 사슬을 포함하는 제1 부분과 제2 부분을 가지는 전도성 고분자층, 제1 부분의 전도성 고분자층의 표면으로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 양각 패턴, 전도성 고분자층 및 상기 양각 패턴을 밀봉하는 봉지 부재를 포함하고, 봉지 부재는 광전환물질을 포함하는 투명한 고분자 물질로 이루어진다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01) H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 51/56 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5237(2013.01) H01L 51/5237(2013.01) H01L 51/5237(2013.01) H01L 51/5237(2013.01)
출원번호/일자 1020170092291 (2017.07.20)
출원인 한국기계연구원, 부산대학교 산학협력단, 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1918260-0000 (2018.11.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20181113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.07.20)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구
3 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최지연 대한민국 서울특별시 송파구
2 김효정 대한민국 부산광역시 해운대구
3 채상민 대한민국 부산광역시 수영구
4 임선종 대한민국 대전광역시 서구
5 이현휘 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
2 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
3 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0699530-71
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.01.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.02.28 수리 (Accepted) 9-1-2018-0008032-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0184229-89
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2018-0477229-26
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0477230-73
8 등록결정서
Decision to grant		 2018.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0590315-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판,상기 기판 위에 형성되어 있으며, 복수의 고분자 사슬을 포함하는 제1 부분과 제2 부분을 가지는 전도성 고분자층,상기 제1 부분의 전도성 고분자층의 표면으로부터 돌출된 돌출부를 포함하는 양각 패턴,상기 전도성 고분자층 및 상기 양각 패턴을 밀봉하는 봉지 부재,상기 봉지 부재로부터 돌출한 격자 패턴을 포함하고,상기 봉지 부재는 광전환물질을 포함하는 투명한 고분자 물질층을 포함하는 전자 소자
2 2
제1항에서,상기 격자 패턴의 간격은 400nm 내지 800nm인 전자 소자
3 3
제1항에서,상기 고분자 물질은 PMMA, PDMS, 아크릴레이트, 플루오로폴리머 중 어느 하나로 이루어지고,상기 광전환물질은 UV를 흡수하고, 가시광선을 방출하는 물질인 전자 소자
4 4
제3항에서,상기 광전환물질은 란탄계열 무기물 물질 또는 유기물을 포함하고,상기 란탄계열 무기물 물질은 Yb, Er 및 Eu 중 어느 하나가 도핑되어 있으며,상기 유기물은 V570, Y083,O230 또는 R300 중 어느 하나인 전자 소자
5 5
제1항에서,상기 돌출부에 위치하는 고분자 사슬은 일방향으로 정렬되어 있는 전자 소자
6 6
제5항에서,상기 기판과 상기 고분자층 사이에 적층되어 있는 게이트 전극 및 게이트 절연막,상기 전도성 고분자층 위에 형성되어 있으며, 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극,을 더 포함하고,상기 돌출부는 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 위치하고, 상기 일방향은 상기 소스 전극으로부터 상기 드레인 전극으로 향하는 제1 방향 또는 상기 제1 방향에 대해서 수직한 제2 방향인 전자 소자
7 7
제6항에서,상기 양각 패턴은 하나의 상기 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부는 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이 전체와 대응하는 전자 소자
8 8
제1항에서,상기 양각 패턴은 복수의 상기 돌출부를 포함하고, 상기 돌출부는 일정한 간격으로 배치되어 있는 전자 소자
9 9
제1항에서,상기 전도성 고분자층은 PEDOT:PSS 또는 P3HT(Poly(3-hexylthiophene)):PCBM으로 이루어지는 전자 소자
10 10
기판 위에 전도성 고분자층을 형성하는 단계,상기 전도성 고분자층을 광전환물질을 포함하는 봉지 부재로 밀봉하는 단계,상기 봉지 부재를 통해서 상기 전도성 고분자층에 3000nm 미만의 초단파 펄스의 레이저 빔을 조사하여 상기 전도성 고분자층이 돌출된 돌출부를 포함하는 양각 패턴을 형성하는 단계를 포함하고,상기 봉지 부재는 상기 봉지 부재로부터 돌출한 격자 패턴을 가지는 전자 소자의 제조 방법
11 11
제10항에서,상기 고분자 물질은 PMMA, PDMS, 아크릴레이트, 플루오로폴리머 중 어느 하나로 이루어지고,상기 광전환물질은 UV를 흡수하고, 가시광선을 방출하는 물질인 전자 소자의 제조 방법
12 12
제11항에서,상기 광전환물질은 란탄계열 무기물 물질 또는 유기물을 포함하고,상기 란탄계열 무기물 물질은 Yb, Er 및 Eu 중 어느 하나가 도핑되어 있으며,상기 유기물은 V570, Y083, O230 또는 R300 중 어느 하나인 전자 소자의 제조 방법
13 13
제10항에서,상기 레이저 빔의 파워는 상기 레이저 빔에 의해서 상기 전도성 고분자층이 삭마되는 삭마 임계점 미만으로 조사하여 상기 양각 패턴을 형성하는 전자 소자의 제조 방법
14 14
제13항에서,상기 레이저 빔의 파워는 상기 삭마 임계점의 80% 내지 90%로 조사하는 전자 소자의 제조 방법
15 15
삭제
16 16
제10항에서,상기 전도성 고분자층을 형성하는 단계 전,상기 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계,상기 게이트 전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 전도성 고분자층은 상기 게이트 전극과 중첩하여 형성하는 전자 소자의 제조 방법
17 17
제16항에서,상기 전도성 고분자층을 형성하는 단계 후,상기 전도성 고분자층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 돌출부는 상기 소스 전극 및 드레인 전극 사이에 형성하는 전자 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 기계연구원 산업부-국가연구개발사업(IV) OLED/OPV 양자효율 10% 향상을 위한 고광산 란 유연복합기판의 레이저 기반 제조 공정 개발 (1/3)
2 미래창조과학부 기계연구원 주요사업 광기반 형상극복 난가공재료 가공기술 개발 (3/3)
3 미래창조과학부 부산대학교 생산기술연구소 원자력연구개발사업(방사선기술개발사업) 방사선을 활용한 차세대 방열 소재 개발
4 중소기업청 덕산 하이메탈 wc300프로젝트 기술개발지원사업 자동차용 디자인프리 oled 조명을 위한 100lm/W 효율 구현이 가능한 일체형 리버스-전사 공정기술 기반의 투명 전도성 광전 복합기판 소재 및 공정 개발