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임시 기판 상에 코어-쉘(core-shell) 구조의 나노 입자를 코팅하여 적어도 하나의 나노 입자층을 형성하는 단계;상기 임시 기판 상에 피트 질화갈륨층(Pit GaN)을 성장시키는 단계; 상기 피트 질화갈륨층 상에 미러 질화갈륨층(Mirror GaN)을 성장시키는 단계; 및상기 임시 기판을 분리시키는 단계를 포함하고,상기 코어-쉘 구조의 나노 입자는,코어 및 상기 코어 표면에 코팅되는 이온성 고분자 물질의 쉘을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 코어-쉘 구조의 나노 입자는 상기 쉘에 의해 제타 포텐셜(zeta potential)이 제어되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 코어-쉘 구조의 나노 입자는 상기 임시 기판과 반대의 제타 포텐셜을 갖는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자 물질은 양이온성 고분자 물질일 수 있고,양이온성 고분자 물질은 폴리디알릴디메틸 암모늄클로라이드(Polydiallyldimethylammonium chloride; PDDA), 폴리에틸렌이민(polyethylenimine; PEI), 폴리아닐린(Polyaniline, PANI), 폴리알릴아민하이드로클로라이드(polyallylamine hydrochloride; PAH), 폴리아크릴아미드(polyacrylamide; PAA), 폴리비닐이미다졸(Polyvinylimidazole), 폴리아미도아민(polyamidoamine, PAMAM), 폴리메타크릴록시에틸트리알킬암모늄 할라이드(polymethacryloxyethyltrialkyl ammonium halide), 폴리아릴아민클로라이드(polyallylamine chloride), 아미노에틸레이티드 폴리아크릴아미드(aminoethylated polyacrylamide), 폴리비닐아민(polyvinylamine), 호프만감성-폴리아크릴아미드(Hofman-degradated polyacrylamide) 및 폴리에틸렌아민(polyethyleamine) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 이온성 고분자 물질은 음이온성 고분자 물질일 수 있고,상기 음이온성 고분자 물질은 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 폴리메타크릴산(polymethacrylic acid), 폴리스티렌(polystyrene; PS), 폴리술폰산(polysulfonic acid), 폴리아크릴아마이드/아크릴산 공중합체(polyacrylamide/acrylic acid copolymer), 폴리아크릴산/술폰산 공중합체(polyacrylic acid/sulfonic acid copolymer), 폴리술폰산/아크릴아마이드 공중합체(polysulfonic acid/acrylamide copolymer), 폴리아크릴산/말론산 공중합체(polyacrylic acid/malonic acid copolymer) 및 폴리스티렌/아크릴산 공중합체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 코어는 SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, CrO2, W, Re, Mo, Cr, Co, Si, Au, Zr, Ta, Ti, Nb, Ni, Pt, V, Hf, Pd, BN 및 W, Re, Mo, Cr, Si, Zr, Ta, Ti, Nb, V, Hf 및 Fe의 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 임시 기판 상에 코어-쉘 구조의 나노 입자를 코팅하여 적어도 하나의 나노 입자층을 형성하는 상기 단계는,스핀 코팅(spin coating)을 이용하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 임시 기판 상에 코어-쉘 구조의 나노 입자를 코팅하여 적어도 하나의 나노 입자층을 형성하는 상기 단계는,상기 임시 기판 상에 버퍼층을 성장시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 버퍼층은 질화갈륨(GaN), 질화 알루미늄(AlN) 및 알루미늄 질화갈륨 (AlGaN) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 버퍼층은 HVPE(hydride vapor phase epitaxy)로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 임시 기판은 사파이어(sapphire), GaAs(gallium arsenide), 스피넬(spinel), Si(silicon), InP(indium phosphide) 및 SiC(silicon carbide) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 임시 기판을 분리시키는 상기 단계는레이저 리프트 오프(laser lift off; LLO)를 사용하여 임시 기판을 제거하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 기판의 제조 방법
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