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기판; 및상기 기판 상의 광 변조 어레이를 포함하되, 상기 광 변조 어레이는, 트렌치를 사이에 두고 서로 이격되어 배치되고, 상기 기판의 상부면에 평행한 제1 방향으로 연장하는, 복수의 광 변조 구조체를 포함하고, 복수의 상기 광 변조 구조체는, 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 제1 반도체 패턴 및 제2 도전형의 도펀트로 도핑된 제2 반도체 패턴이 교대로 그리고 반복적으로 적층된 것을 포함하는 PN접합 광 변조기
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제1 항에 있어서, 복수의 상기 광 변조 구조체는, 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로, 옆으로(laterally) 서로 이격되어 배치된 것을 포함하는 PN접합 광 변조기
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제1 항에 있어서, 상기 광 변조 어레이는, 상기 제1 반도체 패턴 및 상기 제2 반도체 패턴에 각각 다른 전위를 인가하는 콘택 영역을 포함하는 PN접합 광 변조기
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4
제3 항에 있어서, 상기 콘택 영역은, 계단 형상으로 상기 제1 반도체 패턴 및 상기 제2 반도체 패턴이 다단 적층된 것을 포함하는 PN접합 광 변조기
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제4 항에 있어서, 복수의 상기 제1 반도체 패턴에 동일한 전위가 인가되고, 복수의 상기 제2 반도체 패턴에 동일한 전위가 인가되는 것을 포함하는 PN접합 광 변조기
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제1 항에 있어서, 상기 광 변조 어레이는, 인가되는 바이어스(bias)의 방향에 따라서 유전율이 변화되고, 유전율의 변화량에 따라 광 투과도가 조절되는 것을 포함하는 PN접합 광 변조기
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제6 항에 있어서, 상기 광 변조 어레이에 순방향 전위가 인가되는 경우, 유전율이 감소하고,상기 광 변조 어레이에 역방향 전위가 인가되는 경우, 유전율이 증가하는 것을 포함하는 PN접합 광 변조기
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8
제6 항에 있어서, 상기 광 변조 어레이에 전위가 인가되기 전과 비교하여 순방향 전위가 인가되는 경우, 역방향 전위가 인가되는 경우보다 상기 광 변조 어레이의 유전율 변화량이 큰 것을 포함하는 PN접합 광 변조기
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9
제6 항에 있어서, 상기 광 변조 어레이에 순방향 전위가 인가되는 경우, 광 투과도가 증가하고,상기 광 변조 어레이에 역방향 전위가 인가되는 경우, 광 투과도가 감소하는 것을 포함하는 PN접합 광 변조기
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10
제6 항에 있어서, 순방향 제1 바이어스가 상기 광 변조 어레이에 인가되는 경우 제1 파장의 광이 투과되고, 역방향 제2 바이어스가 상기 광 변조 어레이에 인가되는 경우 상기 제1 파장 보다 긴 제2 파장의 광이 투과되되,상기 제1 바이어스의 범위는 상기 제2 바이어스의 범위보다 좁은 것을 포함하는 PN접합 광 변조기
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11
제1 항에 있어서, 상기 제1 반도체 패턴 및 상기 제2 반도체 패턴은, 비금속물질을 포함하는 PN접합 광 변조기
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제1 도전형의 도펀트로 도핑된 제1 반도체 층 및 제2 도전형의 도펀트로 도핑된 제2 반도체 층을 기판 상에 교대로 그리고 반복적으로 적층하여 적층 구조체를 제조하는 단계; 및상기 적층 구조체를 식각하여, 상기 제1 도전형의 도펀트로 도핑된 제1 반도체 패턴 및 상기 제2 도전형의 도펀트로 도핑된 제2 반도체 패턴이 교대로 그리고 반복적으로 적층된 복수의 광 변조 구조체를 형성하는 단계를 포함하되, 복수의 상기 광 변조 구조체는, 트렌치를 사이에 두고 서로 이격되어 형성되고, 상기 기판의 상부면에 평행한 제1 방향으로 연장하는 것을 포함하는 PN접합 광 변조기의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 복수의 상기 광 변조 구조체는, 상기 제1 방향과 교차되는 제2 방향으로 옆으로(laterally) 서로 이격되어 형성되는 것을 포함하는 PN접합 광 변조기의 제조 방법
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제12 항에 있어서, 상기 제1 반도체 패턴 및 상기 제2 반도체 패턴에 각각 다른 전위를 인가하는 콘택 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 PN접합 광 변조기의 제조 방법
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