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(a) 아세트산아연(Zinc Acetate dihydrate) 용액, 염화주석(Tin chloride) 용액, 및 수산화나트륨(Sodium hydroxide) 용액을 혼합한 혼합용액을 교반하여 아연주석수산화물(ZnSn(OH)6) 입자를 생성하는 단계;(b) 상기 혼합용액 내에서, 상기 아연주석수산화물 입자를 침전시켜 회수하는 단계;(c) 회수된 상기 아연주석수산화물 입자를 열처리하여, 아연주석산화물(ZnSnO3) 입자를 생성하는 단계;(d) 상기 아연주석산화물 입자를, 기판 상에 분산시켜 단일층을 형성하는 단계; 및(e) 제1 반도체층, 활성층, 및 제2 반도체층이 순차적으로 적층 배치되는 발광다이오드부의 상기 제2 반도체층 상에, 상기 단일층을 전사하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 (a) 단계는상기 아세트산아연 용액을 교반하는 단계;교반되는 상기 아세트산아연 용액에, 상기 염화주석 용액을 한 방울씩 첨가하는 단계; 및상기 염화주석 용액이 첨가되고 교반되는 상기 염화주석 용액에, 상기 수산화나트륨 용액을 한 방울씩 첨가하는 단계;를 포함하는 발광소자 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 (b) 단계는상기 혼합용액을 원심분리하여 상기 아연주석수산화물 입자를 침전시키는 발광소자 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 (b) 단계와 상기 (c) 단계 사이에,회수된 상기 아연주석수산화물 입자를 에탄올(Ethanol) 및 탈이온수(DI water)로 정제하는 단계;를 더 포함하는 발광소자 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 (c) 단계 이전에,정제된 상기 아연주석수산화물 입자를 동결 건조기로 건조하는 단계;를 더 포함하는 발광소자 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 아세트산아연 용액, 상기 염화주석 용액, 및 상기 수산화나트륨 용액에 각각 사용되는 용매는 탈이온수(DI water)와 에탄올(Ethanol)을 혼합한 용매인 발광소자 제조방법
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청구항 9에 있어서,상기 탈이온수와 상기 에탄올의 혼합 비율은 1:1 ~ 1
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청구항 9에 있어서,상기 용매에서, 상기 탈이온수에 대한 상기 에탄올의 비율을 높이면서, 상기 아연주석산화물 입자의 입경을 증가시키는 발광소자 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 (e) 단계는상기 제2 반도체층 상에, 폴리비닐알코올(PVA) 용액을 코팅하여 바인더층을 형성하고, 상기 바인더층 상에 상기 단일층을 배치시켜 전사하는 발광소자 제조방법
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청구항 12에 있어서,상기 단일층이 배치된 상기 바인더층을 건조시키고, 상기 기판을 제거하는 단계;를 더 포함하는 발광소자 제조방법
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청구항 13에 있어서,상기 기판을 제거한 후에, 상기 바인더층을 열처리하여, 상기 단일층을 상기 제2 반도체층에 결합시키는 단계;를 더 포함하는 발광소자 제조방법
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