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온도 전달층; 상기 온도 전달층 상에 배치되고, 지연형광물질을 포함하는 활성층; 상기 활성층 상에 배치되는 제1 전극층; 상기 활성층 상에 배치되고, 상기 제1 전극층과 이격된 제2 전극층; 및 상기 제1 및 제2 전극층 상에, 상기 활성층과 마주보도록 배치되는 보호층을 포함하되,상기 활성층은, 호스트(host) 물질 및 상기 지연형광물질을 포함하는 도펀트(dopant) 물질로 이루어지되, 상기 호스트 물질 및 상기 도펀트 물질이 갖는 에너지 준위 사이의 전자 이동에 따라, 전류의 차이가 발생하고, 제1 온도가 전달된 상기 활성층에서, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도가 상기 활성층으로 전달되는 경우, 상기 전자는, 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 제1 경로, 상기 호스트 물질의 S1 준위에서 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동하는 제2 경로, 및 상기 도펀트 물질의 T1 준위에서 상기 도펀트 물질의 S1 준위로 이동하는 제4 경로를 순차적으로 이동하는 것을 포함하는 온도 센서
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제1 항에 있어서, 외부 온도가 상기 온도 전달층을 통해, 상기 활성층으로 전달되고, 상기 온도 전달층에 의해 전달된 온도에 따라서, 상기 활성층을 통해 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 흐르는 전류 값이 조절되는 것을 포함하는 온도 센서
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제1 항에 있어서, 상기 온도 전달층은, 유기물 기판, 금속 기판, 또는 탄소 결합 소재 중에서 어느 하나를 포함하는 온도 센서
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제1 항에 있어서, 상기 호스트 물질은 형광 유기 발광 물질을 포함하는 온도 센서
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제1 항에 있어서, 상기 제1 온도가 전달된 상기 활성층에서, 상기 전자는, 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 상기 제1 경로; 상기 호스트 물질의 S1 준위에서 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동하는 상기 제2 경로; 및상기 도펀트 물질의 T1 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 제3 경로를 순차적으로 이동하는 것을 포함하는 온도 센서
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제1 항에 있어서, 상게 활성층과 상기 보호층은 이격되어, 상기 활성층과 상기 보호층 사이에 빈 공간(empty space)이 제공되는 것을 포함하는 온도 센서
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제6 항에 있어서, 상기 빈 공간은, 상기 활성층과 상기 보호층 사이, 및 상기 제1 전극층 및 상기 제2 전극층 사이에 정의되는 것을 포함하는 온도 센서
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제1 항에 있어서, 상기 활성층 및 상기 제1 전극층 사이에 배치되는 전자 수송층,상기 활성층 및 상기 제2 전극층 사이에 배치되는 전공 수송층을 더 포함하는 온도 센서
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온도 전달층을 준비하는 단계; 상기 온도 전달층 상에, 지연형광물질을 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 제1 전극층을 형성하는 단계; 상기 활성층 상에 상기 제1 전극층과 이격된 제2 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 제1 및 제2 전극층 상에 상기 활성층과 마주보는 보호층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 활성층은, 호스트(host) 물질 및 상기 지연형광물질을 포함하는 도펀트(dopant) 물질로 이루어지되, 상기 호스트 물질 및 상기 도펀트 물질이 갖는 에너지 준위 사이의 전자 이동에 따라, 전류의 차이가 발생하고, 제1 온도가 전달된 상기 활성층에서, 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도가 상기 활성층으로 전달되는 경우, 상기 전자는, 상기 호스트 물질의 S0 준위에서 상기 호스트 물질의 S1 준위로 이동하는 제1 경로, 상기 호스트 물질의 S1 준위에서 상기 도펀트 물질의 T1 준위로 이동하는 제2 경로, 및 상기 도펀트 물질의 T1 준위에서 상기 도펀트 물질의 S1 준위로 이동하는 제4 경로를 순차적으로 이동하는 것을 포함하는 온도 센서의 제조 방법
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제9 항에 있어서, 상기 활성층과 마주보는 상기 보호층을 형성하는 단계는, 상기 제1 및 제2 전극층 상에 상기 보호층이 형성되어, 상기 활성층과 상기 보호층 사이에 빈 공간이 형성되는 것을 포함하는 온도 센서의 제조 방법
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