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환원된 산화그래핀(reduced graphene Oxide, rGO) 및 아민화합물(amines)을 극성 용매(polar solvent)에 첨가한 후, 기계적 혼합(mechanical mixing)하여 상기 환원된 산화그래핀 및 상기 아민화합물의 복합체를 제조하는 단계;상기 극성 용매를 제거하여, 상기 복합체에 포함되지 않은 상기 환원된 산화 그래핀 및 상기 아민화합물의 적어도 일부를 제거하는 단계;상기 복합체를 상기 극성 용매보다 낮은 극성의 비극성 용매(non-polar solvent)에 첨가한 후, 기계적 분산(mechanical dispersion)하여 상기 복합체가 분해된 그래핀 양자점(graphene quantum dot, GQD)을 제조하되, 상기 비극성 용매의 극성의 크기에 따라서 상기 복합체의 분산도가 조절되고, 상기 복합체의 분산도에 따라서 상기 그래핀 양자점의 크기 및 발광 파장이 조절되는 단계; 및정제 공정(purification process)을 통해, 상기 비극성 용매로부터 상기 그래핀 양자점을 수득하는 단계를 포함하는 그래핀 양자점의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 기계적 혼합을 통해 상기 복합체를 제조하는 단계는, 아미드화 반응(amidation reaction)에 의해 적층된 구조의 상기 환원된 산화그래핀에 상기 아민화합물이 결합되는 것을 포함하는 그래핀 양자점의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 그래핀 양자점을 제조하는 단계는,상기 기계적 분산에 의해, 상기 아민화합물이 결합된 상기 환원된 산화그래핀의 적층 구조가 분리되는 것을 포함하는 그래핀 양자점의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 양자점을 수득하는 단계는,상기 정제 공정을 통해, 상기 비극성 용매 및 상기 그래핀 양자점에 포함되지 않은 상기 환원된 산화 그래핀 및 상기 아민화합물의 적어도 일부를 제거하는 것을 포함하는 그래핀 양자점의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 그래핀 양자점의 크기는, 상기 극성 용매에 첨가되는 상기 환원된 산화그래핀 및 상기 아민화합물의 비율에 따라 조절되는 것을 포함하는 그래핀 양자점의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 그래핀 양자점의 크기는, 상기 기계적 분산의 처리 시간에 따라 조절되는 것을 포함하는 그래핀 양자점의 제조 방법
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기판 상에 차례로 적층된 정공주입층, 정공전달층, 발광층, 전자전달층, 전자주입층, 및 음극을 포함하되,상기 발광층은, 제1 항에 따른 그래핀 양자점의 제조 방법에 따라 제조된 그래핀 양자점 이용한 발광 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 발광층에 포함된 상기 그래핀 양자점은, 복수의 상기 그래핀 양자점이 응집되어 그래핀 양자점 나노복합체(nanocomposite)를 형성하는 것을 포함하는 그래핀 양자점을 이용한 발광 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 그래핀 양자점의 크기에 따라 상기 발광층의 발광 파장이 조절되는 것을 포함하는 그래핀 양자점을 이용한 발광 소자의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 기판은, 유리 또는 고분자를 포함하는 것을 포함하는 그래핀 양자점을 이용한 발광 소자의 제조 방법
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