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흑연질 탄소질화물(Graphitic Carbon Nitride, gCN)을 포함하고,상기 흑연질 탄소질화물은 인 도핑된, 인 도핑 흑연질 탄소질화물(P-doped Graphitic Carbon Nitride, PgCN)이고,상기 인 도핑 흑연질 탄소질화물은 멜라민, 요소 및 인 전구체의 혼합물을 열처리하여 수득된 것이고,상기 멜라민 대 요소의 중량비는 1 : 9 내지 3 : 7이고,상기 인 전구체는 상기 멜라민 및 요소의 혼합물 100 중량부를 기준으로 20 내지 40 중량부 혼합되고,상기 인의 함량은 상기 인 도핑 흑연질 탄소질화물 전체 중량을 기준으로 10 내지 40 at%인 것인 이차전지 분리막 코팅용 조성물
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제1항에 있어서,상기 인 도핑 흑연질 탄소질화물은 복수 개의 1차 입자가 응집된 형태의 2차 입자로 형성되고,상기 1차 입자의 입경은 1 내지 120 nm이며,상기 2차 입자의 입경은 200 내지 600 nm인 것을 특징으로 하는 이차전지 분리막 코팅용 조성물
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제1항 또는 제4항에 있어서,상기 이차전지 분리막 코팅용 조성물은 탄소 도전재 또는, 탄소 도전재 및 결합제를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지 분리막 코팅용 조성물
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제5항에 있어서, 상기 탄소 도전재는 Super-P, rGO(환원된 산화 그래핀) 및 VGCF(기상성장탄소섬유)의 혼합물이고,상기 Super-P, rGO 및 VGCF의 중량비는 1 : 0
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제5항에 있어서,상기 인 도핑 흑연질 탄소질화물은 상기 인 도핑 흑연질 탄소질화물, 탄소 도전재 및 결합제 전체 100 중량부를 기준으로 40 내지 80 중량부 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지 분리막 코팅용 조성물
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제1항에 있어서,상기 인 도핑 흑연질 탄소질화물은 1 내지 120 nm 입경의 1차 입자 및 200 내지 600 nm의 입경의 2차 입자로 형성된 것이며,상기 이차전지 분리막 코팅용 조성물은 탄소 도전재 및 결합제를 더욱 포함하며,상기 탄소 도전재는 Super-P, rGO 및 VGCF의 혼합물이며,상기 Super-P, rGO 및 VGCF의 중량비는 1 : 0
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제1항에 따른 이차전지 분리막 코팅용 조성물의 코팅층이 상기 분리막의 표면에 형성되어 있는 이차전지 분리막
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제9항에 따른 이차전지 분리막을 포함하는 리튬-황 이차전지로서,상기 코팅층은 상기 이차전지의 양극을 향하는 상기 분리막 일면의 표면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리튬-황 이차전지
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제1항에 따른 이차전지 분리막 코팅용 조성물을 포함하는 전기 디바이스로서,상기 전기 디바이스는 전기자동차, 하이브리드 전기자동차, 플러그-인 하이브리드 전기자동차 및 전력 저장장치 중에서 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 전기 디바이스
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멜라민, 요소 및 인 전구체의 혼합물을 열처리하는 단계;를 포함하는 인 도핑 흑연질 탄소질화물(P-doped Graphitic Carbon Nitride, PgCN)에 대하여,상기 멜라민 대 요소의 중량비는 1 : 9 내지 3 : 7이고,상기 인 전구체는 상기 멜라민 및 요소의 혼합물 100 중량부를 기준으로 20 내지 40 중량부 혼합되고,상기 인의 함량은 상기 인 도핑 흑연질 탄소질화물 전체 중량을 기준으로 10 내지 40 at%인 것인 인 도핑 흑연질 탄소질화물의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 인 전구체는 제2 인산암모늄인 것을 특징으로 하는 인 도핑 흑연질 탄소질화물의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 열처리는 1 내지 10 ℃/min의 승온속도로 400 내지 700 ℃로 승온시킨 후 1 내지 10 시간 동안 유지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 인 도핑 흑연질 탄소질화물의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 인 전구체는 제2 인산암모늄이며,상기 열처리는 1 내지 10 ℃/min의 승온속도로 400 내지 700 ℃로 승온시킨 후 1 내지 10 시간 동안 유지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 인 도핑 흑연질 탄소질화물의 제조방법
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