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기재 위에 h-BN 후막을 형성하는 방법 및 그로부터 제조된 h-BN 후막 적층체(Formation method of hexagonal boron nitride thick film on a substrate and hexagonal boron nitride thick film laminates thereby)

  • 기술번호 : KST2016017339
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기재 위에 복층의 육방정계 질화불소(hexagonal boron nitride: h-BN) 후막을 제조하는 방법에 대한 것으로, 보다 구체적으로는 (a) 제 1 기재를 가열하는 기재 가열단계; (b) 가열된 상기 제 1 기재에 h-BN 전구체를 공급하는 h-BN 전구체 공급단계; (c) 공급된 상기 h-BN 전구체를 제 1 기재에 용해시키는 전구체 용해단계: 및 (d) h-BN 전구체가 용해된 제 1 기재를 냉각시키는 기재 냉각단계;를 통하여 기재 위에 복층의 h-BN 후막을 형성하는 방법과 상기 제조방법에 따라 제조되는 복층의 h-BN 후막;과 상기 h-BN 후막과 적층구조를 이루는 기재를 포함하는 적층체에 대한 것이다.
Int. CL B32B 9/00 (2006.01) C01B 35/14 (2006.01) C01B 21/064 (2006.01)
CPC B32B 18/00(2013.01) B32B 18/00(2013.01) B32B 18/00(2013.01)
출원번호/일자 1020150043309 (2015.03.27)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1685100-0000 (2016.12.05)
공개번호/일자 10-2016-0115505 (2016.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20161209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.03.27)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수민 대한민국 전라북도 완주군
2 김기강 대한민국 서울특별시 중구
3 이주송 대한민국 전라북도 완주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0303591-45
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0613808-06
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0007850-09
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0371270-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0720769-24
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0720770-71
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0860431-05
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번호 청구항
1 1
기재 위에 복층의 h-BN 후막을 형성하는 방법에 있어서,(a) 제 1 기재인 철(Fe) 기재를 가열하는 기재 가열단계;(b) 가열된 상기 제 1 기재에 h-BN 전구체인 보라진(H3B3N3H3)을 공급하는 h-BN 전구체 공급단계;(c) 공급된 상기 h-BN 전구체를 제 1 기재에 용해시키는 전구체 용해단계;(d) h-BN 전구체가 용해된 제 1 기재를 냉각시키는 기재 냉각단계; 및(e) 용해된 h-BN 전구체로부터 제 1 기재의 표면에 h-BN 후막을 형성하는 h-BN 후막형성단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 기재 위에 복층의 h-BN 후막을 형성하는 방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 h-BN 후막 위에 제 2 기재인 고분자를 형성하는 제 2 기재 형성단계; 및상기 제 1 기재에 마이너스 전극을 연결하고 수용액 상의 상대 전극인 백금 전극에 플러스 전극을 연결하여 제 1 기재와 h-BN 후막의 계면에서 발생하는 수소를 이용하여 h-BN 후막을 분리하는 h-BN 후막분리단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기재 위에 복층의 h-BN 후막을 형성하는 방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 h-BN 후막분리단계 이후에 유연기판, 전도체, 또는 반도체성 소재로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 제 3 기재에 h-BN 후막을 전사하는 h-BN 전사단계; 및상기 h-BN 전사단계 이후에 제 2 기재를 제거하는 제 2 기재 제거단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기재 위에 복층의 h-BN 후막을 형성하는 방법
4 4
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나의 방법으로 제조되는 복층의 h-BN 후막; 및 상기 h-BN 후막과 적층구조를 이루는 기재를 포함하는 것을 특징으로 하는 h-BN 후막 적층체
5 5
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10 10
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1 US10113230 US 미국 FAMILY
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2 US2016281221 US 미국 DOCDBFAMILY
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