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문턱전압이 조절 가능한 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2019034688
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 Ag/Si:H 기반 스위칭 소자의 Si:H로 구성된 스위칭층 두께를 조절하고 MOSFET의 드레인 전극과 직렬로 연결하여 문턱 전압 조절이 가능한 트랜지스터 를 제공한다. 제공되는 문턱전압 조절이 가능한 트랜지스터는 Ag/Si:H 기반 스위칭 소자를 포함하여 빠른 확산도를 가지기 때문에 급격한 전류 변화가 가능하므로 누설 전류를 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 29/78 (2006.01.01) H01L 29/772 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01)
CPC H01L 29/783(2013.01) H01L 29/783(2013.01) H01L 29/783(2013.01)
출원번호/일자 1020170103882 (2017.08.17)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1950097-0000 (2019.02.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.08.17)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구광역시 수성구
2 유종명 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0791010-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2017.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.01.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0001287-32
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0632425-63
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2018-1053850-61
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1053851-17
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0095993-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스위칭 소자; 및 상기 스위칭 소자와 직렬로 연결되는 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)를 포함하고,상기 스위칭 소자는 하부전극, 스위칭층, 상부전극이 차례로 적층되어 형성되며,상기 스위칭층은 수소가 도핑된 무정형 실리콘(Si:H)으로 구성되고,상기 스위칭층의 두께를 조절함으로써 문턱전압이 조절되는 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 스위칭층의 두께는 4nm 내지 8nm인 것인 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서, 상기 하부전극은 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 텅스텐(W), TiN 및 WN 중에서 하나 이상을 포함하는 것인 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서, 상기 상부전극은 은(Ag) 또는 구리(Cu)인 것인 트랜지스터
6 6
제1항에 있어서, 상기 MOSFET는 게이트 전극, 게이트 인슐레이터, 채널층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것인 트랜지스터
7 7
제1항에 있어서, 상기 스위칭 소자가 직렬로 연결된 MOSFET는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.