| 1 |
1
제 1 전극, 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 배치되는 발광부를 포함하는 제 1 소자층을 형성하는 것;상기 발광부 상에서 상기 제 1 소자층을 덮는 제 1 봉지층을 형성하는 것;상기 제 1 봉지층 상에 제 1 보호층을 형성하는 것; 및상기 제 1 보호층 상에 제 2 소자층을 형성하는 것을 포함하되,상기 제 2 소자층을 형성하는 것은: 상기 제 1 보호층 상에 제 1 도전막을 도포하는 것; 및 상기 제 1 도전막을 식각하여 제 3 전극을 형성하는 것을 포함하는 광 전자 소자의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 보호층은 상기 제 1 봉지층의 상면과 직접적으로 접하는 광 전자 소자의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 제 1 봉지층은 알루미늄 산화물(Al2O3)를 포함하는 광 전자 소자의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 보호층은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)과 같은 무기물, 또는 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리프로필렌(polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(polyethyleneterephthalate), 테플론(teflon), 폴리비닐리덴 플로라이드(polyvinylidene fluoride; PVDF), 폴리에텔에텔 케톤(polyetherether ketone) 또는 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide)와 같은 유기물을 포함하는 광 전자 소자의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 소자층을 형성하는 것은:상기 제 3 전극을 형성한 후에, 상기 제 3 전극 상에 소자부를 형성하는 것; 및상기 소자부 상에 제 4 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 제 2 소자층을 형성한 후, 상기 소자부 상에 제 2 소자층을 덮는 제 2 봉지층을 형성하는 것을 더 포함하는 광 전자 소자의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서,상기 소자부는 발광 다이오드, 태양 전지, 광 검출기 또는 트랜지스터를 포함하는 광 전자 소자의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 5 항에 있어서,상기 제 2 소자층 상에 제 3 소자층을 형성하는 것을 더 포함하되,상기 제 3 소자층을 형성하는 것은:상기 제 2 봉지층 상에 제 2 보호층을 형성한 후, 상기 제 2 보호층 상에 제 2 도전막을 도포하는 것; 및 상기 제 2 도전막을 식각하여 제 5 전극을 형성하는 것을 포함하는 광 전자 소자의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서,상기 제 2 전극 및 상기 제 3 전극은 투명 전극을 포함하는 광 전자 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서,상기 제 3 전극의 측면은 상기 제 1 보호층의 상면에 대하여 경사진 광 전자 소자의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 1 항에 있어서,상기 제 1 도전막을 식각하는 것은 사진 식각 공정을 포함하는 광 전자 소자의 제조 방법
|
