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수소 센서 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020000641
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 수소 센서는, 도핑 농도에 따라 복수의 전극 영역과 하나의 채널 영역으로 구획되는 상부의 반도체 층이 구비되는 SOI(Silicon-On-Insulator) 기판; 상기 반도체 층의 상기 복수의 전극 영역 상에 형성되는 복수의 전극; 및 상기 반도체층의 상기 채널 영역을 식각함으로써 형성되는 실리콘 나노그물 및 수소 기체와 반응하도록 상기 실리콘 나노그물 상에 증착되는 감지 물질로 구성되는 감지부; 를 포함한다.
Int. CL G01N 27/407 (2006.01.01) G01N 27/12 (2006.01.01) G01N 33/00 (2006.01.01) B82Y 15/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190081645 (2019.07.05)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0005500 (2020.01.15) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180078335   |   2018.07.05
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.05)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박인규 대전광역시 유성구
2 조민규 경기도 안양시 동안구
3 가오민 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0693492-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.04.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.06.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0114014-22
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0557348-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-1084705-23
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1084706-79
9 등록결정서
Decision to grant
2020.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0739498-64
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번호 청구항
1 1
도핑 농도에 따라 복수의 전극 영역과 하나의 채널 영역으로 구획되는 반도체 층이 상면에 구비되는 SOI(Silicon-On-Insulator) 기판;상기 반도체 층의 상기 복수의 전극 영역 상에 형성되는 복수의 전극; 및상기 반도체층의 상기 채널 영역을 식각함으로써 형성되는 실리콘 나노그물 및 수소 기체와 반응하도록 상기 실리콘 나노그물 상에 증착되는 감지 물질로 구성되는 감지부를 포함하는 수소 센서
2 2
제 1 항에 있어서,상기 감지 물질은,팔라듐(Palladium) 나노 입자로 구성되는수소 센서
3 3
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 나노그물은,폴리스티렌(Polystyrene) 나노구슬을 기초로 형성되는 하드 마스크를 이용하여 상기 채널 영역을 식각함으로써 형성되는수소 센서
4 4
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 나노그물은,상기 복수의 전극을 전기적으로 연결하는수소 센서
5 5
제 4 항에 있어서,상기 감지 물질과 반응하는 상기 수소 기체의 농도에 따라 상기 실리콘 나노그물의 내부 전류 또는 저항 중 적어도 하나가 변화하는수소 센서,
6 6
SOI(Silicon-On-Insulator) 기판의 상면을 도핑하여 도핑 농도에 의해 구획되는 복수의 전극 영역과 하나의 채널 영역을 포함하는 반도체 층을 형성하는 단계;상기 반도체 층의 상기 채널 영역을 식각함으로써 형성되는 실리콘 나노그물을 형성하는 단계; 상기 반도체 층의 상기 복수의 전극 영역 상에 복수의 전극을 형성하는 단계; 및상기 실리콘 나노그물 상에 수소 기체와 반응하는 감지 물질을 증착하는 단계를 포함하는수소 센서의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 감지 물질을 증착하는 단계는,팔라듐(Palladium) 나노 입자로 구성되는 상기 감지 물질을 상기 실리콘 나노그물 상에 증착하는수소 센서의 제조 방법
8 8
제 6 항에 있어서,상기 실리콘 나노그물을 형성하는 단계는,상기 채널 영역을 폴리스티렌(Polystyrene) 나노구슬로 스핀코팅(Spin Coating)하는 단계;상기 스핀코팅된 폴리스티렌 나노구슬에 크롬을 증착하여 하드 마스크를 형성하는 단계; 및상기 하드 마스크를 이용하여 상기 채널 영역을 식각하여 상기 실리콘 나노그물을 형성하는 단계를 포함하는수소 센서의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서,상기 실리콘 나노그물을 형성하는 단계는,상기 스핀코팅된 폴리스티렌 나노구슬을 식각하여 상기 폴리스티렌 나노구슬 사이의 간격을 조절하는 단계를 더 포함하는수소 센서의 제조 방법
10 10
제 6 항에 있어서,상기 감지 물질을 증착하는 단계는,상기 감지 물질을 증착하기 전, 상기 실리콘 나노그물을 버퍼 산화물 식각 용액(Buffered Oxide Etchant) 처리하는 단계를 포함하는수소 센서의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.