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자성체를 포함하는 제1금속자성층이고, 외부로부터 공급되는 에너지에 의해 스핀(spin)전류가 발생되는 스핀발생부;상기 스핀발생부에서 상기 스핀전류가 발생되도록 상기 스핀발생부 측으로 광을 조사하는 광조사부;비자성체를 포함하는 금속비자성층이며, 상기 스핀발생부와 적어도 일부분이 접하도록 배치되며, 상기 스핀전류를 전달받는 스핀전달부;자성체를 포함하는 제2금속자성층이고, 상기 스핀전달부와 적어도 일부분이 접하도록 배치되고, 상기 스핀전달부를 통해 전달되는 상기 스핀전류에 의해 스핀전달토크(Spin Transfer Torque)가 발생되며, 자화(magnetization) 방향에 의해 소정의 정보가 저장되는 스핀정보부; 및상기 스핀전달토크가 발생된 상기 스핀정보부 측으로 자기장을 발생시켜서 상기 스핀정보부의 상기 자화(magnetization)방향을 스위칭시키는 자기장발생부; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 1항에 있어서, 상기 스핀발생부 및 상기 광조사부 사이에 배치되며, 상기 광조사부측으로부터 발광되어 상기 스핀발생부 측으로 조사되는 광을 집속시켜주는 광집속부; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 2항에 있어서, 상기 광집속부는 웨이브가이드인 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 1항에 있어서, 상기 광조사부에서 발광되는 상기 광은 레이저인 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 1항에 있어서, 상기 제1금속자성층의 자화방향과 상기 제2금속자성층의 자화방향은 서로 다른 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 1항에 있어서, 상기 제2금속자성층의 자화방향은 상기 제1금속자성층의 자화방향에 대하여 수직인 방향인 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 1항에 있어서, 상기 제1금속자성층은, Co, Fe, Ni, CoFe합금, NiFe합금, CoFeAl합금, CoAl합금 및 CoFeB 합금 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 1항에 있어서, 상기 제2금속자성층은, FCT결정구조(face centered tetragonal crystal structure)의 FePt, FCT결정구조의 FePd, FCT결정구조의 CoPt, 다층박막구조의 [Co/Pt]n, 다층박막구조의 [Co/Pd]n, 다층박막구조의 [Co/Ni]n, 적층구조의 CoFeB/Ta, 적층구조의 CoFeB/W 및 적층구조의 CoFeB/Hf 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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삭제
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제 1항에 있어서, 상기 금속비자성층은 Al, Cu, Ag 및 Au 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 1항에 있어서,상기 제1금속자성층은 상기 금속비자성층을 통해 상기 제2금속자성층과 간접적으로 결합된 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 12항에 있어서, 상기 제1금속자성층의 일측에 상기 금속비자성층이 접하여 위치하고, 상기 금속비자성층의 일측에 상기 제2금속자성층이 접하여 위치하도록 상기 제1금속자성층, 상기 금속비자성층 및 상기 제2금속자성층이 결합된 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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제 12항에 있어서, 상기 금속비자성층의 일측면에 상기 제1금속자성층이 배치되고, 상기 제2금속자성층이 상기 금속비자성층의 일측면에 접하도록 배치되되,상기 제1금속자성층 및 상기 제2금속자성층은 서로에 대하여 일정간격 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 자기기록장치
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