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n-과 p-타입의 이중 전하 공급층 구조를 이용한 스핀 트랜지스터

  • 기술번호 : KST2014036354
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 스핀 트랜지스터는, 상부 클래딩층과 하부 클래딩층 및 상기 상부 클래딩층과 상기 하부 클래딩층 사이에 배치된 채널층을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 채널층의 길이방향으로 서로 이격 배치된 강자성체 소스 및 드레인; 및 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하도록 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극을 포함하고, 상기 반도체 기판은, 상기 하부 클래딩층 아래에 배치되어 상기 채널층에 캐리어(carrier)를 공급하는 제1 도전형의 제1 전하 공급층; 및 상기 상부 클래딩층 상에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하고 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형으로 된 제2 전하 공급층을 포함한다.
Int. CL G11C 11/16 (2006.01) H01L 29/82 (2006.01) H01L 27/105 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100046364 (2010.05.18)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1084020-0000 (2011.11.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20111116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.18)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 용산구
2 송진동 대한민국 서울특별시 성북구
3 구현철 대한민국 서울 성북구
4 김경호 대한민국 서울특별시 성북구
5 한석희 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 대국기술 전라남도 여수시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0317506-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0060896-92
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0408771-49
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0745501-53
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0745500-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0629310-98
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 클래딩층과 하부 클래딩층 및 상기 상부 클래딩층과 상기 하부 클래딩층 사이에 배치된 채널층을 갖는 반도체 기판; 상기 반도체 기판 상에 형성되어 상기 채널층의 길이방향으로 서로 이격 배치된 강자성체 소스 및 드레인; 및 상기 소스와 드레인 사이에서 상기 반도체 기판 위에 형성되어, 상기 채널층을 통과하는 전자의 스핀을 제어하도록 게이트 전압이 인가되는 게이트 전극을 포함하고,상기 반도체 기판은, 상기 하부 클래딩층 아래에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하는 제1 도전형의 제1 전하 공급층; 및 상기 상부 클래딩층 상에 배치되어 상기 채널층에 캐리어를 공급하고 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형으로 된 제2 전하 공급층을 포함하는 스핀 트랜지스터
2 2
제1항에 있어서,상기 반도체 기판의 두께 방향에 따른 상기 채널층의 에너지 밴드 구조와 전자 분포는 비대칭적인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 전하 공급층은 n-도프층이고 상기 제2 전하 공급층은 p-도프층인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 전하 공급층은 p-도프층이고 제2 전하 공급층은 n-도프층인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
5 5
제1항에 있어서,상기 하부 클래딩층은 제1 하부 클래딩층과, 상기 제1 하부 클래딩층 아래에 형성되어 상기 제1 하부 클래딩층보다 큰 밴드갭을 갖는 제2 하부 클래딩층을 포함하고, 상기 상부 클래딩층은 제1 상부 클래딩층과, 상기 제1 상부 클래딩층 위에 형성되어 상기 제1 상부 클래딩층보다 큰 밴드갭을 갖는 제2 상부 클래딩층을 포함하는 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
6 6
제5항에 있어서,상기 채널층은 InAs로 형성되고, 상기 제1 하부 클래딩층과 제1 상부 클래딩층은 언도프 InGaAs로 형성되고, 상기 제2 하부 클래딩층과 제2 상부 클래딩층은 언도프 InAlAs로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 전하 공급층 및 제2 전하 공급층 중 적어도 하나는 InAlAs로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
8 8
제5항에 있어서,상기 제1 상부 클래딩층과 제1 하부 클래딩층의 두께가 서로 다른 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
9 9
제1항에 있어서,상기 채널층 내의 에너지 밴드 구조와 전자 분포의 비대칭성이 증가되도록 상기 제1 전하 공급층과 제2 전하 공급층의 도핑 농도가 서로 다르게 조절된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 전하 공급층 및 제2 전하 공급층은 벌크 도핑 또는 델타 도핑으로 도핑된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
11 11
제1항에 있어서,상기 상부 클래딩층과 하부 클래딩층의 두께가 서로 다르고, 상기 채널층의 에너지 밴드 구조와 전자 분포가 비대칭인 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
12 12
제1항에 있어서,상기 채널층은 GaAs, InAs, InGaAs, InSb로 이루어진 그룹에서 선택된 반도체 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 스핀 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
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1 US08183611 US 미국 FAMILY
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1 US2011284937 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8183611 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.