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분리막의 표면처리 방법

  • 기술번호 : KST2020000871
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 분리막의 표면처리 방법은 이차원 물질을 산 또는 염기 처리하여 친수성 이차원 물질을 제조하는 것, 상기 친수성 이차원 물질을 유기용매에 분산시켜 용액을 만드는 것, 상기 용액을 소수성 분리막 상에 도포시키는 것, 및 상기 도포된 용액 내의 유기용매를 제거하여, 상기 소수성 분리막 상에 친수성 이차원 물질층을 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL B01D 67/00 (2006.01.01)
CPC B01D 67/0093(2013.01) B01D 67/0093(2013.01) B01D 67/0093(2013.01)
출원번호/일자 1020180084993 (2018.07.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0009924 (2020.01.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김주영 대전광역시 유성구
2 이영기 대전광역시 유성구
3 김광만 대전광역시 유성구
4 신동옥 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2018-0721515-93
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번호 청구항
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이차원 물질을 산 또는 염기 처리하여 친수성 이차원 물질을 제조하는 것; 상기 친수성 이차원 물질을 유기용매에 분산시켜 용액을 만드는 것;상기 용액을 소수성 분리막 상에 도포시키는 것; 및상기 도포된 용액 내의 유기용매를 제거하여, 상기 소수성 분리막 상에 친수성 이차원 물질층을 형성하는 것을 포함하는 분리막의 표면처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국전자통신연구원 국제공동기술개발사업 덴드라이트 억제를 위한 이온분포제어형 전해질 및 미세패턴 전극기술 기반 리튬금속 이차전지 기술 개발