| 1 |
1
피사체를 살균시키기 위한 살균 장치에 있어서,상기 피사체에 조사될 광을 방출시키는 반도체 발광 소자; 및상기 반도체 발광 소자에 인가되는 가변 전압을 생성하는 가변 전압 생성부;를 포함하고,상기 반도체 발광 소자는 280nm 이하의 파장에서 최대 세기를 갖는 광을 방출시키고,상기 가변 전압은 100Hz 이하의 주파수 및 소정 주기를 가지며,상기 가변 전압의 소정 주기는 상기 반도체 발광 소자의 구동 전압보다 작은 전압이 인가되는 비동작 시간과 상기 반도체 발광 소자의 구동 전압보다 큰 전압이 인가되는 동작 시간을 포함하고,상기 비동작 시간과 상기 동작 시간의 듀티비는 20% 내지 80%인 살균 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 반도체 발광 소자는 10 Hz 이상의 주파수에서 동작하는 살균 장치
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 반도체 발광 소자는 상기 피사체로부터 이격되어 배치되는 살균 장치
|
| 4 |
4
제2항에 있어서,상기 반도체 발광 소자는 상기 피사체에 접촉되어 배치되는 살균 장치
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 가변 전압은 펄스 전압 또는 교류 전압인 살균 장치
|
| 6 |
6
피사체 내에 흐르는 유체를 살균시키기 위한 살균 장치에 있어서,상기 피사체에 조사될 광을 방출시키는 반도체 발광 소자를 포함하고,상기 반도체 발광 소자 각각은 280nm 이하의 파장에서 최대 세기를 갖는 광을 방출시키고,상기 광이 상기 피사체 표면에 조사되는 광의 도즈(Dose)는 적어도 0
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 반도체 발광 소자는 260nm 내지 280nm의 파장에서 최대 세기를 갖는 광을 방출하는 살균 장치
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 반도체 발광 소자는 1LPM 내지 2LPM의 유속을 갖는 유체에 조사되는 경우, 상기 반도체 발광 소자가 방출하는 광의 출력은 100mW 이상인 살균 장치
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 반도체 발광 소자의 살균 범위는 상기 피사체의 표면으로부터 5cm 이내인 살균 장치
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 유속을 갖는 유체는 투광성 튜브 내에서 흐르고,상기 반도체 발광 소자는 상기 튜브의 일측에 배치되고,상기 반도체 발광 소자의 살균 범위는 상기 튜브의 직경과 동일한 살균 장치
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 반도체 발광 소자는 상기 튜브의 외측에 서로 마주보도록 배치되고,상기 반도체 발광 소자의 살균 범위는 상기 튜브의 반지름과 동일한 살균 장치
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 피사체가 상기 유체가 수평으로 흐르도록 배치되는 경우, 상기 반도체 발광 소자는 상기 피사체의 둘레에 배치되는 살균 장치
|
| 13 |
13
제12항에 있어서,상기 피사체가 상기 유체가 일측으로 인입되어 수평으로 흐른 후 타측으로 인출되도록 배치되는 경우, 상기 발광 소자는 상기 유체가 수평으로 흐르는 피사체의 양측에 서로 마주보도록 배치되는 살균 장치
|
