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투명 기재 상에 형성된 다수의 제1 금속 나노와이어들이 형성하는 제1 금속 나노네트워크를 제2 금속으로 롤투롤(Roll-to-Roll) 전기 도금하여, 제1 금속 나노네트워크가 제2 금속으로 접합된 금속 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하는,투명 도전막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노구조체를 형성하는 단계 이전에, 투명 기재 상에 제1 금속 나노네트워크를 형성하는 단계를 포함하고,상기 투명 기재 상에 제1 금속 나노네트워크를 형성하는 단계는,투명 기재 상에 제1 금속 나노와이어 분산액을 롤투롤 공정으로 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 투명 기재 상에 제1 금속 나노와이어 분산액을 롤투롤 공정으로 코팅하는 단계는 마이어 로드 코팅 공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 금속 나노네트워크는 상기 제1 금속 나노와이어들이 규칙적으로 또는 불규칙적으로 얽힌 구조인 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 금속은 은 및 구리 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 제2 금속은 은, 구리, 니켈 및 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 롤투롤 전기 도금은,제1 금속 나노네트워크가 형성된 투명 기재를 롤투롤 공정으로 제2 금속 소스 화합물을 포함하는 도금액에 침지시키면서 전류를 인가하여 수행하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 도금액은 전도성 향상제, 안정화제, pH 버퍼 및 보호제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 도금액은 메타중아황산칼륨(potassium metabisulfite, K2S2O5), 티오황산나트륨(sodium hyposulfite, Na2S2O3), 아세트산암모늄(ammonium acetate, CH3COONH4) 및 아미노티오우레아(aminothiourea, CH3N3S)를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속 나노구조체를 형성하는 단계 이후에,상기 금속 나노구조체를 폴리머 매트릭스에 임베딩(embedding)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 임베딩하는 단계는,상기 금속 나노구조체 상에 광 경화성 프리폴리머 용액을 도포하는 단계;광 경화성 프리폴리머 용액이 도포된 금속 나노구조체 상에 투명 폴리머 필름을 적층하는 단계;광을 조사하여 광 경화성 프리폴리머를 경화시키는 단계; 및투명 기재를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막의 제조 방법
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다수의 제1 금속 나노와이어들로 형성된 제1 금속 나노네트워크 및 상기 제1 금속 나노와이어들 사이를 접합하는 제2 금속을 포함하는 금속 나노구조체를 포함하는,투명 도전막
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제11항에 있어서,상기 제2 금속은, 접촉 또는 중첩된 제1 금속 나노와이어들 사이의 간극 및 제1 금속 나노와이어들의 표면에 배치되어, 상기 제1 금속 나노와이어들 사이를 접합하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막
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제11항에 있어서,상기 금속 나노구조체는 폴리머 매트릭스에 임베딩된 것을 특징으로 하는,투명 도전막
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제11항에 있어서,상기 제1 금속은 은 또는 구리를 포함하고, 상기 제2 금속은 은, 구리, 니켈 및 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,투명 도전막
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제11항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 투명 도전막을 포함하는,전자 기기
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제15항에 있어서,상기 전자 기기는 유기 발광 다이오드, 마찰전기 발전기 또는 터치 패널인 것을 특징으로 하는,전자 기기
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