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기재 상에 전자수송층 전구체 용액을 코팅 및 경화하여 전자수송층을 형성하는 단계;상기 전자수송층 상에 금속산화물 나노입자 분산액을 코팅 및 경화하여 금속산화물 나노입자를 포함하는 감광층을 형성하는 단계; 및상기 금속산화물 나노입자를 포함하는 감광층 상에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 기재는 반도체물질을 포함하는 반도체층 및 상기 반도체층 하부에 위치하는 게이트전극을 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 전자수송층 전구체는 In2O3, SnO2, IZO, ITZO 또는 ZTO의 전구체를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 금속산화물 나노입자는 ZnO, ZTO 또는 IGZO를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 전극을 형성하는 단계 다음에, 상기 감광층의 금속산화물 나노입자를 성장시켜 나노로드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기재 상에 전자수송층 전구체 용액을 코팅 및 경화하여 전자수송층을 형성하는 단계는 상기 전자수송층 전구체 용액을 회전코팅 (Spin coating), 담금코팅(Dip coating), 스프레이 코팅(Spary coating) 또는 막대코팅 (Bar coating)을 이용하여 상기 기재 상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전자수송층 상에 금속산화물 나노입자 분산액을 코팅 및 경화하여 금속산화물 나노입자를 포함하는 감광층을 형성하는 단계는 상기 금속산화물 나노입자 분산액을 회전코팅 (Spin coating), 담금코팅(Dip coating), 스프레이 코팅(Spary coating) 또는 막대코팅 (Bar coating)을 이용하여 상기 기재 상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 나노입자를 포함하는 감광층 상에 전극을 형성하는 단계는 상기 금속산화물 나노입자를 포함하는 감광층 상의 일영역에 소스전극 및 상기 금속산화물 나노입자를 포함하는 감광층 상의 다른 일영역에 상기 소스전극과 이격된 드레인전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광층 상에 전극을 형성하는 단계는 스퍼터링법, 열진공법, 전자빔법 또는 화학기상증착법을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광층의 금속산화물 나노입자를 성장시켜 나노로드를 형성하는 단계는 상기 전극이 형성된 감광층을 반응용액에 침지하여 수열합성법을 통해 나노로드를 형성하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 트랜지스터 제조방법
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제10항에 있어서,상기 반응용액은 상기 금속산화물 나노입자에 포함된 금속의 이온, 나이트레이트, 착화물 또는 수화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 트랜지스터 제조방법
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제1항에 있어서,상기 감광층의 금속산화물 나노입자를 성장시켜 나노로드를 형성하는 단계는 60°C 내지 120°C에서 수행하는 것을 특징으로 하는 자외선 광 트랜지스터 제조방법
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제1항의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 자외선 광 트랜지스터
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