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반도체 소자에 있어서,반도체층 및상기 반도체층과 요철 구조를 갖도록 접촉된 하나 이상의 금속 전극을 포함하되,상기 반도체층은 상기 금속 전극의 돌출부가 삽입되는 오목부를 포함하고,상기 반도체층의 오목부는 상기 반도체층의 표면으로부터 소정의 깊이 만큼 식각된 것으로, 복수의 격자점과 각 격자점을 꼭지점으로 하는 복수의 다각형이 서로 인접하게 반복 배치된 패턴을 갖도록 형성된 것이고,상기 금속 전극의 돌출부는 상기 금속 전극의 표면으로부터 상기 소정의 깊이와 일치하도록 돌출된 소정의 높이를 갖는 것으로, 상기 오목부의 패턴과 대응하는 패턴을 가진 것인 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체층의 오목부는 하나의 격자점에 6개의 정삼각형, 8개의 직각 삼각형, 4개의 직사각형, 4개의 정사각형 또는 3개의 정육각형이 접하도록 각각 배치된 패턴을 갖도록 형성된 것이고,상기 금속 전극의 돌출부는 상기 오목부에 대응하여, 하나의 격자점에 6개의 정삼각형, 8개의 직각 삼각형, 4개의 직사각형, 4개의 정사각형 또는 3개의 정육각형이 접하도록 각각 배치된 패턴을 갖도록 형성된 것인 반도체 소자
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반도체 소자에 있어서,반도체층 및상기 반도체층과 요철 구조를 갖도록 접촉된 하나 이상의 금속 전극을 포함하되,상기 반도체층은 상기 금속 전극의 오목부가 삽입되는 돌출부를 포함하고,상기 금속 전극의 오목부는 상기 금속 전극의 표면으로부터 소정의 깊이 만큼 식각된 것으로, 복수의 격자점과 각 격자점을 꼭지점으로 하는 복수의 다각형이 서로 인접하게 반복 배치된 패턴을 갖도록 형성된 것이고,상기 반도체층의 돌출부는 상기 반도체층의 표면으로부터 상기 소정의 깊이와 일치하도록 돌출된 소정의 높이를 갖는 것으로, 상기 오목부의 패턴과 대응하는 패턴을 가진 것인 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 금속 전극의 오목부는 하나의 격자점에 6개의 정삼각형, 8개의 직각 삼각형, 4개의 직사각형, 4개의 정사각형 또는 3개의 정육각형이 접하도록 각각 배치된 패턴을 갖도록 형성된 것이고,상기 반도체층의 돌출부는 상기 오목부에 대응하여, 하나의 격자점에 6개의 정삼각형, 8개의 직각 삼각형, 4개의 직사각형, 4개의 정사각형 또는 3개의 정육각형이 접하도록 각각 배치된 패턴을 갖도록 형성된 것인 반도체 소자
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