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하기 화학식 1로 표시되는, 칼코게나이드 상변화 물질:[화학식 1]Ma(AxSbyTe(1-x-y))b화학식 1에 있어서, A가 인듐(In)인 경우, M은 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 또는 란타늄(La) 이고; A가 게르마늄(Ge)인 경우, M은 이트륨(Y), 타이타늄(Ti), 인듐(In), 구리(Cu), 주석(Sn), 아연(Zn), 또는 알루미늄(Al)이며; a와 b는 각각 양수로서 a + b = 1을 만족하도록 선택되고; x는 0
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 A가 인듐(In)인 경우,상기 화학식 1의 x는 0
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 A가 게르마늄(Ge)인 경우,상기 화학식 1의 x는 0
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 a는 0 초과 0
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청구항 1에 따른 칼코게나이드 상변화 물질을 포함하는 메모리 소자
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청구항 9에 있어서, 상기 메모리 소자는 상변화 메모리 소자, 뉴로모픽 메모리 소자, 3D 크로스 포인트 메모리 소자, 또는 멀티 레벨 메모리 소자인 것인 메모리 소자
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