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광소결 공정을 이용한 전지의 제조 방법 및 이로부터 제조된 전지

  • 기술번호 : KST2020002873
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광소결 공정을 이용한 전지의 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 광소결 공정을 이용한 전지의 제조 방법은 기판 상에 양극용 페이스트를 도포한 후, 소결시켜 양극을 형성하는 단계; 상기 양극 상에 고체 전해질용 페이스트를 도포한 후, 소결시켜 고체 전해질을 형성하는 단계; 및 상기 고체 전해질 상에 음극용 페이스트를 도포한 후, 소결시켜 음극을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 양극을 형성하는 단계, 상기 고체 전해질을 형성하는 단계 및 상기 음극을 형성하는 단계 중 적어도 어느 하나의 단계는 광소결 공정에 의해 소결되는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01M 10/0562 (2010.01.01) H01M 10/058 (2010.01.01) H01M 6/18 (2006.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 4/88 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190085455 (2019.07.16)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0010069 (2020.01.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180083614   |   2018.07.18
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.07.16)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영범 서울특별시 서초구
2 양휘철 서울특별시 성동구
3 이호재 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2019.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-0725219-11
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.09.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0136557-17
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.10.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0684645-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1321845-55
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-1321843-64
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 양극용 페이스트를 도포한 후, 소결시켜 양극을 형성하는 단계;상기 양극 상에 고체 전해질용 페이스트를 도포한 후, 소결시켜 고체 전해질을 형성하는 단계; 및상기 고체 전해질 상에 음극용 페이스트를 도포한 후, 소결시켜 음극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 양극을 형성하는 단계, 상기 고체 전해질을 형성하는 단계 및 상기 음극을 형성하는 단계 중 적어도 어느 하나의 단계는 광소결 공정에 의해 소결되는 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용한 전지의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 광소결 공정은 0
3 3
제1항에 있어서,상기 양극용 페이스트 및 상기 음극용 페이스트에 대한 광소결 공정은 300℃ 내지 600℃에서 진행되는 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용한 전지의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 고체 전해질용 페이스트에 대한 광소결 공정은 500℃ 내지 600℃에서 진행되는 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용한 전지의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 양극용 페이스트 및 상기 음극용 페이스트에 대한 광소결 공정의 광 에너지는 70J 내지 100J인 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용한 전지의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 고체 전해질용 페이스트에 대한 광소결 공정의 광 에너지는 90J 내지 130J인 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용한 전지의 제조 방법
7 7
기판 상에 양극용 페이스트를 이용하여 형성된 양극;상기 양극 상에 고체 전해질용 페이스트를 이용하여 형성된 고체 전해질; 및상기 고체 전해질 상에 음극용 페이스트를 이용하여 형성된 음극을 포함하고,상기 양극, 상기 고체 전해질 및 상기 음극 중 적어도 어느 하나는 광소결 공정에 의해 소결되는 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용하여 제조된 전지
8 8
제7항에 있어서,상기 양극용 페이스트는 LiCoO2, LiNiO2, LiNi1-xCoxO2, LiMnO2, LiMn2O4, LiV3O8, LiFePO4, LiMnPO4, LiCoPO4 및 Li3V2(PO4)3 중 적어도 어느 하나를 포함하는 양극 활물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용하여 제조된 전지
9 9
제7항에 있어서,상기 고체 전해질용 페이스트는 산화물(oxide) 계열의 물질 및 설파이드(sulfide) 계열의 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 고체 리튬-전도성(lithium-conductive) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용하여 제조된 전지
10 10
제9항에 있어서,상기 산화물 계열의 물질은 Li-La-Ti-O 또는 Li-La-Zr-O를 포함하는 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용하여 제조된 전지
11 11
제9항에 있어서,상기 설파이드 계열의 물질은 Li2S-P2S5을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용하여 제조된 전지
12 12
제7항에 있어서,상기 음극용 페이스트는 탄소(carbon) 계열의 물질 또는 티타늄 산화물 계열의 물질을 포함하는 인터칼레이션/디인터칼레이션 타입 물질; Si, Ge, Sn, Sb 및 SnO2 중 적어도 어느 하나의 물질을 포함하는 얼로이/디-얼로이 타입 물질; 및 Fe2O3, Co3O4, MnxOy 및 NiO 중 적어도 어느 하나의 금속 산화물 계열 물질을 포함하는 전환 타입 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 음극 활물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 광소결 공정을 이용하여 제조된 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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