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리튬 이차 전지용 음극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는리튬 이차 박막 전지

  • 기술번호 : KST2014054410
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬 이차 전지용 음극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 집전체의 적어도 한 면 이상에 리튬과 반응하여 고용체(solid solution) 또는 금속간 화합물을 형성하는 물질을 포함하는 활성층과 상기 활성층 상에 형성된 완충층을 포함하고, 이들 활성층과 완충층이 교번하여 적어도 2층 이상 적층되며, 상기 완충층이 상기 활성층과 동일한 물질의 산화물을 포함하는 다층 박막 구조의 리튬 이차 전지용 음극 및 이의 제조방법과, 상기 음극이 구비된 리튬 이차 전지에 관한 것이다.상기 다층 박막 구조의 음극은 활성층과 완충층이 동일한 물질을 포함함에 따라 하나의 타겟을 사용하여 용이하게 제조할 수 있다. 이러한 구조의 음극을 구비하여 충·방전 동안 금속 활물질의 부피 팽창을 효과적으로 줄임으로써 전극의 구조적 안정성 및 전기화학적 특성이 향상되어 용량 및 수명 특성이 향상된 리튬 이차 전지의 구현이 가능하다.리튬 이차 전지, 부피 팽창, 다층 구조, 음극 박막
Int. CL H01M 4/134 (2010.01.01) H01M 4/04 (2006.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01) H01M 4/134(2013.01)
출원번호/일자 1020060086307 (2006.09.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0800395-0000 (2008.01.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080204) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.09.07)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박종완 대한민국 경기 남양주시
2 양재훈 대한민국 서울 동작구
3 안승호 대한민국 서울 강동구
4 고명균 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장수영 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, *층(역삼동, 대아빌딩)(특허법인 신우)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2006-0647887-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.03.15 수리 (Accepted) 9-1-2007-0018207-18
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0403555-05
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0674076-78
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.09.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0674090-18
7 등록결정서
Decision to grant		 2008.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0023708-15
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
집전체의 적어도 한 면 이상에 리튬과 반응하여 고용체(solid solution) 또는 금속간 화합물을 형성하는 물질을 포함하며 10 내지 30 nm 두께의 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되며 두께가 1 내지 5 nm 두께의 완충층을 포함하고, 이들 활성층과 완충층이 교번하여 10 내지 300층으로 적층되며,상기 완충층이 상기 활성층과 동일한 물질의 산화물을 포함하는 다층 박막 구조의 리튬 이차 전지용 음극
2 2
제1항에 있어서,상기 활성층은 Si, Ge, Sn, Al, Pb, Bi, C 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 음극
3 3
제1항에 있어서,상기 활성층은 Ge, Sn, Al, Pb, Bi, C, 이들의 합금, 또는 이들과 Si의 합금 중에서 선택된 1종을 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 음극
4 4
제1항에 있어서,상기 완충층은 Si, Ge, Sn, Al, Pb, Bi, C 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 산화물을 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 음극
5 5
제1항에 있어서,상기 완충층은 Ge, Sn, Al, Pb, Bi, C, 이들의 합금, 또는 이들과 Si의 합금 중에서 선택된 1종을 포함하는 산화물을 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 음극
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,상기 다층 박막 구조의 음극은 총 두께가 0
9 9
삭제
10 10
제 1항에 있어서, 상기 다층막을 이루는 활성층과 완충층을 구성하는 각 물질의 원소비는 10:1 내지 1:4인 것인 리튬 이차 전지용 음극
11 11
제1항에 있어서,상기 집전체는 Ag, Au, Pt, Pd, Al, Ni, Cu, Ti, V, Cr, Fe, Co, Mn, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 음극
12 12
(a) 비활성 가스 존재 하에, 집전체 상에 리튬과 반응하여 고용체(solid solution) 또는 금속간 화합물을 형성할 수 있는 타겟 원소를 증착하여 활성층을 형성하고, (b) 활성 가스 존재 하에, 상기 활성층 상에 (a)의 타켓 원소 산화물을 증착하여 완충층을 형성하고, 상기 (a) 및 (b) 단계를 적어도 1회 이상 수행하여 제조하는 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
13 13
제12항에 있어서,상기 타겟 원소는 Si, Ge, Sn, Al, Pb, Bi, C 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것인 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
14 14
제12항에 있어서,상기 타겟 원소는 Ge, Sn, Al, Pb, Bi, C, 이들의 합금, 또는 이들과 Si의 합금 중에서 선택된 1종인 것인 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
15 15
제12항에 있어서,상기 활성층과 완충층의 타켓 원소는 서로 동일한 것인 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
16 16
제12항에 있어서,상기 비활성 가스는 질소(N2), 아르곤(Ar) 및 이들의 혼합가스인 것인 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
17 17
제12항에 있어서,상기 활성 가스는 산소(O2), 오존(O3), 수증기(H2O), 과산화수소(H2O2), 일산화질소(N2O) 및 이들의 혼합가스인 것인 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
18 18
제12항에 있어서,상기 리튬 이차 전지용 음극은 박막 장치의 챔버 내부에 집전체 및 활물질 타겟을 위치시키고, 진공 상태 하에서 상기 진공 챔버 내로 비활성 가스를 주입하고 플라즈마를 발생시켜 활물질 타켓으로부터 집전체 상에 활성층을 형성하고, 상기 진공 챔버 내 활성 가스를 주입하고 플라즈마를 발생시켜 활물질 타켓으로부터 활성층이 형성된 집전체 상에 완충층을 형성하는 것인 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
19 19
제12항에 있어서,상기 활성층 또는 완충층은 스퍼터링법, 진공증착법, 마그네트론 스퍼터링(magnetron sputtering), DC 다이오드 스퍼터링(DC diode sputtering), 전자빔 증착(electron beam vapor deposition), 이온빔 스퍼터링, ESD(Electrostatic sparry deposition), 화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition), 및 용사법으로 이루어진 군에서 선택된 1종의 방법을 수행하는 리튬 이차 전지용 음극의 제조방법
20 20
(a) 비활성 가스 존재 하에, 집전체 상에 리튬과 반응하여 고용체(solid solution) 또는 금속간 화합물을 형성할 수 있는 타겟 원소를 이용하여 Si 활성층을 형성하고, (b) 활성 가스 존재 하에, 상기 활성층 상에 상기 타켓 원소의 산화물을 포함하는 SiO2 완충층을 형성하고, 상기 (a) 및 (b) 단계를 적어도 1회 이상 수행하여 제조된 다층 박막 구조의 음극
21 21
음극, 양극 및 이들 사이에 존재하는 전해질을 구비하고, 상기 음극이 제1항 내지 제5항, 제8항, 제10항, 및 제11항 중 어느 한 항에 따른 다층 박막 구조의 음극을 포함하는 리튬 이차 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.