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발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020002933
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명의 일실시예에 따르면 발광 다이오드는 제1 도전형 기판, 상기 제1 도전형 기판 상에 코팅되는 씨드층, 상기 씨드층으로부터 성장하는 복수의 제2 도전형 나노로드를 포함하는 제2 도전형 산화물층, 상기 제2 도전형 산화물층 상에 형성되는 복수의 금속 나노 와이어를 포함하는 투명 전극층 및 상기 제1 도전형 기판 상에 형성되는 전극을 포함하고, 상기 복수의 제2 도전형 나노로드는 촉매제(catalyst)에 기초하여 모폴로지(Morphology)가 제어될 수 있다.
Int. CL H01L 33/62 (2010.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01) H01L 33/16 (2010.01.01)
CPC H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01) H01L 33/62(2013.01)
출원번호/일자 1020180107188 (2018.09.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0028721 (2020.03.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.07)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진섭 경기도 수원시 영통구
2 신동수 서울특

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.09.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0892226-68
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2019-0003999-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0715563-69
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1218192-31
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.26 수리 (Accepted) 1-1-2019-1218118-73
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.04.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0242688-19
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.04.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0413596-37
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2020-0413595-92
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.05.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0304516-18
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번호 청구항
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제1 도전형 기판 상에 씨드층을 스핀 코팅하여 상기 씨드층으로부터 복수의 제2 도전형 나노로드를 포함하는 제2 도전형 산화물층을 형성하는 단계; 및상기 제2 도전형 산화물층 상에 복수의 금속 나노 와이어를 포함하는 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제2 도전형 산화물층을 형성하는 단계는,60℃ 내지 90℃의 온도에서 촉매제(catalyst)의 비율에 기초하여 상기 복수의 제2 도전형 나노로드의 직경을 150nm 내지 300nm로 제어하고, 상기 복수의 제2 도전형 나노로드의 길이를 900nm 내지 1000nm로 제어하는 단계를 포함하고,상기 촉매제는 유레아(urea) 또는 수산화 나트륨(NaOH) 중 적어도 어느 하나를 포함하는발광 다이오드의 제조 방법
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부(2017Y) (재)한국연구재단 이공분야기초연구사업 / 신진연구지원사업 / 신진연구(후속연구) 고효율 수직형 발광 다이오드 개발을 위한 주기적 극성반전 나노하이브리드 구조 응용에 관한 연구