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복수 개의 광 도파로; 및상기 광 도파로를 선택적으로 제어하는 광 도파로 모듈 컨트롤러를 포함하며,상기 광 도파로 내부에는 상기 광 도파로 모듈 컨트롤러의 제어에 따라 광 도파로에 수광되는 빛을 차단하거나 경로를 변경시키는 스위칭부가 구비되고,상기 광 도파로 내부에는 나노자성물질이 수용되고, 상기 광 도파로 모듈 컨트롤러는 상기 나노자성물질에 자기장을 가하여 빛의 진행을 선택적으로 차단 또는 진행시키고 광 도파로 모듈 컨트롤러에서 자기장이 인가되지 않을 경우, 나노자성물질이 콜로이드 상태를 유지하여, 입사된 빛을 그대로 전반사하고, 복수의 자성 모듈 각각은 광 도파로 모듈 컨트롤러에 의하여 자기장이 인가될 경우, 나노자성물질이 설정된 방향으로 배열되어 굴절율이 변경되며, 입사된 빛의 경로를 자성 모듈 외부로 변경시키는 선택적 수광 모듈
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제1항에 있어서,상기 광 도파로는,내측에 코어가 구비되고, 상기 코어의 외부에는 빛을 전반사시키는 클래드 및 광 도파로 모듈 컨트롤러의 제어에 따라 굴절률이 변화되어 상기 빛의 경로를 변경시키는 자성 모듈이 인접하여 구비되는 것을 포함하는 선택적 수광 모듈
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제3항에 있어서,상기 자성 모듈은,상기 클래드와 교번하여 케스케이드(cascade) 형태로 구비되는 것을 포함하는, 선택적 수광 모듈
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펄스 레이저를 출력하는 광원과 상기 펄스 레이저를 측정 타겟으로 송출하는 송광학계; 상기 측정 타겟에서 반사된 펄스 레이저를 수신하여, 광 검출부로 유도하는 광 도파로 모듈; 및상기 광 도파로 모듈에 의하여 유도된 펄스 레이저를 전기신호로 변환하는 상기 광 검출부를 포함하는 수광학계를 포함하고, 상기 광 도파로 모듈은,스위칭부를 포함하는 복수 개의 광 도파로; 및상기 복수 개의 광 도파로 중 적어도 어느 하나를 선택적으로 제어하는 광 도파로 모듈 컨트롤러를 포함하고,상기 광 도파로 모듈 컨트롤러는,상기 송광학계로부터 송출된 펄스 레이저의 방향 정보를 전송 받고, 상기 방향 정보에 기초하여 대응하는 적어도 하나의 광 도파로의 스위칭부를 제어하여 빛을 통과 또는 차단시키는 스캐닝 라이다
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제5항에 있어서,상기 스위칭부는 나노자성물질을 포함하고, 상기 광 도파로 모듈 컨트롤러는,상기 나노자성물질에 자기장을 가하여 상기 펄스 레이저의 진행을 선택적으로 제어하는 스캐닝 라이다
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제5항에 있어서,상기 광 도파로 모듈은 복수 개의 광 도파로가 인접하여 형성되고,상기 광 도파로 모듈 컨트롤러는, 상기 펄스 레이저의 스캐닝 속도를 전송받고, 상기 스캐닝 속도에 따라 상기 복수 개의 광 도파로를 순차적으로 제어하는 것을 포함하는 스캐닝 라이다
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제5항에 있어서,상기 복수의 광 도파로에는,내측에 상기 펄스 레이저가 진행 되는 코어가 구비되고, 코어 외부에는 상기 펄스 레이저가 전반사 되도록 하는 클래드 및 나노자성물질이 수용되는 자성 모듈이 인접하여 구비되며, 상기 광 도파로 모듈 컨트롤러는 상기 자성 모듈에 자기장을 인가하여 나노자성물질의 굴절률을 변화시켜 상기 펄스 레이저의 경로를 변화시키는 것을 특징으로 하는 스캐닝 라이다
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제9항에 있어서,상기 광 도파로 모듈 컨트롤러는,상기 송광학계로부터 송출된 펄스 레이저의 방향정보를 전송 받고, 상기 방향정보에 기초하여 미리 설정된 자성 모듈에 선택적으로 자기장을 가하는 스캐닝 라이다
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