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원자층 식각장치

  • 기술번호 : KST2020003551
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 피식각기판이 안착되는 스테이지를 구비하는 반응챔버; 상기 반응챔버 내부에 플라즈마를 발생시키도록 상기 반응챔버의 상부측에 배치된 플라즈마 소스; 및 플라즈마 발생시 형성된 플라즈마 라디컬이 흡착된 상기 피식각기판의 원자층에 열을 가하도록, 상기 플라즈마 소스와 동일평면 상에 또는 플라즈마 소스의 상부에 배치된 열원;을 포함하는 원자층 식각장치에 관한 것으로서, 열원의 오염을 방지하고 흡착효율 및 식각효율을 향상시킨 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/67 (2006.01.01) H05B 3/00 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01)
CPC H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01) H01L 21/67069(2013.01)
출원번호/일자 1020180109632 (2018.09.13)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0031198 (2020.03.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.13)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 염근영 경기도 수원시 장안구
2 박진우 경기도 수원시 장안구
3 김두산 경기도 수원시 장안구
4 이원오 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교 산학협력단 경기도 수원시 장안구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-0912327-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0092088-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.08.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0610948-59
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2019-1064868-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1064881-68
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2020.02.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0093387-20
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.04.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0354103-35
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2020-0354092-10
10 등록결정서
Decision to grant		 2020.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0450352-63
11 [출원서 등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2020.08.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0852895-14
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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피식각기판이 안착되는 스테이지를 구비하는 반응챔버;상기 반응챔버 내부에 플라즈마를 발생시키도록 상기 반응챔버의 상측에 배치된 플라즈마 소스; 및플라즈마 발생시 생성된 플라즈마 라디컬이 흡착된 상기 피식각기판의 원자층에 열을 가하여 상기 플라즈마 라디컬이 흡착된 원자층이 상기 피식각기판으로부터 떨어져나가는 등방성 식각이 이루어지도록, 상기 플라즈마 소스와 동일평면 상에 배치된 열원;을 포함하고,상기 등방성 식각을 위해, 상기 반응챔버의 상측에 배치된 플라즈마 소스는 회오리 또는 지그재그 형태의 코일로 이루어져 있고, 상기 열원은 상기 피식각기판을 균일하게 가열하도록 상기 플라즈마 소스의 코일 사이에 균일하게 분포된 복수개의 열원으로 이루어진 것을 특징으로 하는 원자층 식각장치
2 2
제1항에 있어서,상기 열원은 IR 램프, UV 램프, 할로겐 램프, LED, 백열등, 형광등 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 원자층 식각장치
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 성균관대학교산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발 초미세 패턴 세정을 위한 건식 세정 기술개발
2 과학기술정보통신부 성균관대학교 나노·소재기술개발(R＆D) 고집적 신경세포 모방 소자 인터커넥션을 위한 초정밀 나노 공정기술 개발