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포토레지스트 패턴이 형성된 폴리머 기판 표면에 나노실버 코팅제를 도포하여 나노실버 코팅층을 형성하는 단계;상기 폴리머 기판 표면에 형성된 포토레지스트 패턴을 용매로 리프트오프(lift-off) 하여, 나노실버 패턴을 형성하는 단계;상기 나노실버 패턴과 할로겐 착물을 접촉하여, 리간드 치환하여 치환체를 형성하는 단계; 및상기 치환체를 환원하여 전극패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은,상기 폴리머 기판 표면에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트층의 표면을 마스킹(masking) 후 노광 및 현상하여, 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 폴리머 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 사이클로올레핀 공중합체, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에테르설폰 및 폴리에틸렌 나프탈레이트 중 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전극패턴은 두께가 0
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제1항에 있어서, 상기 나노실버 코팅제는,질산은(AgNO3), 올레산(Oleic acid) 및 올레일아민(oleylamine)을 포함하는 혼합용액을 가열하는 단계;상기 혼합용액으로부터 나노실버 입자를 수득하는 단계; 및상기 나노실버 입자를 분산용매에 분산시키는 단계;를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 용매는 아세톤을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 할로겐 착물은 테트라 부틸암모늄 브로마이드(Tetra n-butylammonium bromide) 및 염화암모늄(NH4Cl) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 환원은 상기 전극패턴을 하이드라진(hydrazine) 용액에 투입하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전극패턴을 열처리하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 열처리는,상기 폴리머 기판의 전극패턴 표면에 폴리머 코팅층을 형성하는 단계; 및상기 폴리머 기판을 150~200℃에서 가열하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극 제조방법
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제1항 내지 제10항중 어느 한 항의 유연 투명전극 제조방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 유연 투명전극
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제11항에 있어서, 상기 유연 투명전극은 면저항 20Ω/sq 이하이며, 투과도 90% 이상인 것을 특징으로 하는 유연 투명전극
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