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반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법

  • 기술번호 : KST2020004158
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법은 (a) 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 단계; (b) 제2 표면에너지를 갖는 중합체층을 형성하는 단계; (c) 고분자 기재 상에 박막 물질을 박리하는 단계; (d) 중합체층을 이용하여 고분자 기재 상에 박리된 박막 물질을 제1 기판에 전사하는 단계; 및 (e) 제1 기판에 전사된 박막 물질을 제2기판에 전사하는 단계를 포함하되, 제1 표면에너지 보다 제2 표면에너지가 큰 것이다.
Int. CL B41M 5/382 (2006.01.01) C08L 101/00 (2006.01.01) C08L 83/04 (2006.01.01)
CPC B41M 5/382(2013.01) B41M 5/382(2013.01) B41M 5/382(2013.01) B41M 5/382(2013.01)
출원번호/일자 1020180121014 (2018.10.11)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0041064 (2020.04.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.11)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진홍 경기도 화성
2 최재웅 경기도 성남시 분당구
3 박형열 경기도 김포시 걸포*로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)
3 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-1000644-31
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2019.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0163909-79
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.10.11 수리 (Accepted) 9-1-2019-0045775-66
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0296483-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.06.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0669670-00
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2020-0669616-44
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0787232-07
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번호 청구항
1 1
반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법에 있어서,(a) 제1 표면에너지를 갖는 고분자 기재를 형성하는 단계;(b) 제2 표면에너지를 갖는 중합체층을 형성하는 단계;(c) 상기 고분자 기재 상에 박막 물질을 박리하는 단계;(d) 상기 중합체층을 이용하여 상기 고분자 기재 상에 박리된 박막 물질을 제1기판에 전사하는 단계; 및(e) 상기 제1기판에 전사된 박막 물질을 제2기판에 전사하는 단계를 포함하되,상기 제1 표면에너지 보다 상기 제2 표면에너지가 큰 것인,반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (c) 단계 및 상기 (d) 단계를 n회 반복하여 상기 중합체층 상에 n개의 박막 물질을 순차적으로 적층하는 단계를 더 포함하는 것인, 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (a) 단계에서PDMS 탄성중합체 베이스(elastomer base)와 PDMS 경화제(curing agent)를 혼합하는 단계; 및상기 혼합된 PDMS혼합액에 발생된 기포를 제거한 후 일정한 두께를 갖도록 경화시켜 PDMS를 포함하는 고분자 기재를 형성하는 단계를 포함하는 것인, 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 기재는PDMS (polydimethylsiloxane), PBT (Polybutylene terephthalate), CTFE (Chlorotrifluoroethylene), PP (Polypropylene), PU (Polyurethane), PE (Polyethylene), PVF (Polyvinyl fluoride), PVDF (Polyvinylidene fluoride), PDMS (Polydimethylsiloxane), FEP (Fluorinated ethylene propylene) 및 PTFE (Polytetrafluoroethylene) 중 적어도 하나로 이루어지는 것인, 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (b) 단계는상기 제1기판 상에 구형의 물질을 형성하는 단계; 및상기 구형의 물질 상에 스핀 코팅을 이용하여 상기 중합체층을 형성하는 단계를 포함하되,상기 구형의 물질은 상기 제1기판과 동일한 물질이거나 상기 제1기판 및 상기 중합체층과의 접합에너지가 높은 물질로 이루어지는 것인,반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 중합체층은PMMA (polydimethylsiloxane), PES (Polyethersulfone), PPO (Polyphenylene oxide), PC (Polycarbonate), PET (Polyethlene terephthalate), PMMA (Polymethylmethacrylate), SAN (Styrene acrylonitirile), PVCr (Polyvinyl chloride), ABS (Acrylonitrile butadiene styrene), PPS (Polyphenylene sulfide), PVA (Polyvinyl alcohol), PVCp (Polyvinyl chloride with plasticizer) 및 PS (Polystyrene) 중 적어도 하나로 이루어지는 것인, 반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (c) 단계는테이프 사이에 상기 박막 물질의 결정을 배치한 후 얇고 넓게 퍼지도록 상기 테이프를 탈부착하는 단계를 포함하는 것인,반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (d) 단계는상기 중합체층이 하측을 향하도록 상기 제1기판을 뒤집어서 전사용 슬릿에 부착하는 단계;상기 고분자 기재를 스테이지 상부에 고정한 후, 광학 현미경을 이용하여 상기 제1기판의 중합체층이 상기 고분자 기재의 박막 물질과 일치하도록 접합시키는 단계; 및기설정된 속도로 상기 고분자 기재로부터 상기 제1기판의 중합체층을 떼어내되, 상기 중합체층에 상기 박막 물질이 부착되는 단계를 포함하는 것인,반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 (e) 단계는상기 제1기판의 중합체층에 부착된 박막 물질을 상기 제2기판에 접합시키는 단계; 및상기 제2기판으로부터 상기 제1기판의 중합체층을 떼어내어 상기 박막 물질만을 상기 제2기판 상에 전사하는 단계를 포함하되,상기 제2기판은 제3 표면에너지를 가지는 것이고,상기 제2 표면에너지 보다 상기 제3 표면에너지가 큰 것인,반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
10 10
제8항에 있어서,상기 (e) 단계는상기 제1기판의 중합체층에 부착된 박막 물질을 상기 제2기판에 접합시키는 단계;상기 제2기판이 고정된 스테이지를 가열한 후 상기 제2기판으로부터 상기 제1기판의 중합체층을 떼어내어 상기 중합체층의 일부를 포함하는 박막 물질을 상기 제2기판 상에 전사하는 단계; 및 상기 박막 물질에 포함된 상기 중합체층을 제거하는 단계를 포함하는 것인,반데르발스 힘을 이용한 박막 필름 전사 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 성균관대학교산학협력단 미래반도체소자 원천기술개발사업(민간투자금) 5nm급 이하 차세대 Logic 소자 원천요소 기술개발(Verical GAA 소자향 Early Silicide 및 저접촉저항 소재/공정 개발)
2 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 중견연구자지원사업(후속연구지원/개인) 배리스터 소자 기반 다중피크 부성미분저항 3진법 소자 및 3진법 휘발성 메모리 (SRAM) 회로 개발
3 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 기초연구실지원사업 2/3 비선형 부성저항 특성 기반 한계극복 ICT정보처리 소자 개발
4 과학기술정보통신부 성균관대학교(자연과학캠퍼스) 나노소재기술개발사업(선행공정·플랫폼기술연구개발사업) 1단계 3/3 M3D 집적 초절전 아키텍처 구현을 위한 저온공정 및 원자스위치 소자 개발