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양전하를 띠는 열가소성 고분자 수지 입자와 음전하를 띠는 2차원 전이금속이 정전기적 인력으로 응집된 고분자 복합소재를 포함하는,전자파 차폐용 고분자 복합소재
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제1항에 있어서,상기 고분자 복합소재에 포함된 2차원 전이금속은 그물형 필러 네트워크 구조를 갖는 것인,전자파 차폐용 고분자 복합소재
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제1항에 있어서,상기 2차원 전이금속은 하기 화학식 1로 표시되는 것인, 전자파 차폐용 고분자 복합소재:[화학식 1]Mn+1XnTx상기 화학식 1에서 M은 앞 전이금속(early transition metal)이고, X는 탄소 또는 질소 중 어느 하나를 포함하고, n은 1 내지 4의 정수이며, Tx는 표면 작용기로써 =O, -OH, -F 중 어느 하나이다
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제1항에 있어서,상기 고분자 복합소재 전체 중량에 대해, 상기 2차원 전이금속의 함량이 3 내지 7 wt% 인 것을 특징으로 하는,전자파 차폐용 고분자 복합소재
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제1항에 있어서,상기 양전하를 띠는 열가소성 고분자 수지 입자는,열가소성 고분자 수지로 이루어진 입자; 및상기 입자의 표면에 결합된 양이온 계면활성제;를 포함하는 것인,전자파 차폐용 고분자 복합소재
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제5항에 있어서,상기 열가소성 고분자 수지로 이루어진 입자는 ABS 수지, PC(polycarbonate), PLA(poly lactic acid), PET(polyethylene terephthalate), PBT((polybutylene terephthalate), PU(polyurethane) 및 PS(polystyrene) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,전자파 차폐용 고분자 복합소재
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제5항에 있어서,상기 양이온 계면활성제는 트리에틸아민염산염(triethylamine hydrochloride), 옥테니딘염산염(octenidine dihydrochloride), 브로민화 세트리모늄(hexadecyltrimethylammonium bromide), 세틸피리디늄 클로라이드(cetylpyridinium chloride), 염화 벤제토늄(benzethonium chloride) 및 디메틸디옥타데실암모늄 클로라이드(dimethyldioctadecylammonium chloride) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,전자파 차폐용 고분자 복합소재
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열가소성 고분자 수지를 포함하는 제1 용액과 양이온 계면활성제를 포함하는 제2 용액을 혼합하여 에멀젼을 제조하는 제1 단계;상기 에멀젼을 친수성 용매에 첨가하여 양전하를 띠는 열가소성 고분자 수지 입자를 침전시키는 제2 단계;음전하를 띠는 2차원 전이금속 현탁액을 첨가하여 상기 입자와 2차원 전이금속을 정전기적 인력으로 응집시키는 제3 단계; 및혼합액을 진공 여과하고 건조하는 제4 단계;를 포함하는,전자파 차폐용 고분자 복합소재 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 열가소성 고분자 수지는 ABS 수지, PC(polycarbonate), PLA(poly lactic acid), PET(polyethylene terephthalate), PBT((polybutylene terephthalate), PU(polyurethane) 및 PS(polystyrene) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하고,상기 양이온 계면활성제는 트리에틸아민염산염(triethylamine hydrochloride), 옥테니딘염산염(octenidine dihydrochloride), 브로민화 세트리모늄(hexadecyltrimethylammonium bromide), 세틸피리디늄 클로라이드(cetylpyridinium chloride), 염화 벤제토늄(benzethonium chloride) 및 디메틸디옥타데실암모늄 클로라이드(dimethyldioctadecylammonium chloride) 중에서 선택된 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는,전자파 차폐용 고분자 복합소재 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 2차원 전이금속은 하기 화학식 1로 표시되는 것인, 전자파 차폐용 고분자 복합소재 제조 방법:[화학식 1]Mn+1XnTx상기 화학식 1에서 M은 앞 전이금속(early transition metal)이고, X는 탄소 또는 질소 중 어느 하나를 포함하고, n은 1 내지 4의 정수이며, Tx는 표면 작용기로써 =O, -OH, -F 중 어느 하나이다
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제8항에 있어서,상기 제3 단계에서,상기 입자와 2차원 전이금속의 전체 중량에 대해 상기 2차원 전이금속의 함량이 3 내지 7 wt% 가 되도록 상기 현탁액을 첨가하는 것을 특징으로 하는,전자파 차폐용 고분자 복합소재 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제4 단계에서 제조된 전자파 차폐용 고분자 복합소재를 열을 가하여 압착시키는 제5 단계;를 더 포함하는 것인,전자파 차폐용 고분자 복합소재 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 제5 단계 후 제조된 고분자 복합소재에 포함된 2차원 전이금속은 그물형 필러 네트워크 구조를 갖는 것인,전자파 차폐용 고분자 복합소재 제조 방법
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제8항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따라 제조되고,양전하를 띠는 열가소성 고분자 수지 입자와 음전하를 띠는 2차원 전이금속이 정전기적 인력으로 응집된 고분자 복합소재를 포함하는,전자파 차폐용 고분자 복합소재
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