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III족 원소를 포함하는 제 1 전구체 및 금속을 포함하는 제 2 전구체와 리간드용 화합물을 포함하는 제 1 용액을 준비하는 단계;상기 제 1 용액 내에서 상기 제1 전구체 및 상기 제2 전구체 간의 반응을 수행하는 단계;상기 제 1 용액의 온도를 제 1 온도 범위로 제어하는 단계; 및상기 제 1 용액과 질소계 화합물을 용매에 용해시킨 제 2 용액과 반응시켜, 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점을 형성하는 단계를 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전구체는 할로겐화갈륨을 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 할로겐화갈륨은 삼염화갈륨(GaCl3), 삼브롬화갈륨(GaBr3) 및 삼요오드화갈륨(GaI3)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전구체는 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 및 인듐(In)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나를 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 리간드용 화합물은 올레일아민(oleylamine)을 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 온도 범위는 200 내지 280℃인 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 용액과 제 2 용액을 1 내지 3 시간 동안 반응시키는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 용액은 리튬 헥사메틸다이실라자이드를 무수 핵세인을 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 용액은 n-부틸리튬(n-butyllithium)과 테트라메틸에틸렌디아민(tetramethylethylenediamine)의 혼합물과 올레일아민을 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제조방법은 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점을 형성한 후, 상기 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점을 포함한 용액으로부터 원심분리 방법에 의하여, 불순물을 제거하는 단계; 상기 불순물이 제거된 용액과 에탄올을 혼합하는 단계; 및상기 에탄올이 혼합된 용액으로부터 원심분리 방법에 의하여 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점을 분리하는 단계를 추가로 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점의 제조방법
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리간드가 표면에 결합된 질화갈륨 양자점으로서,상기 질화갈륨 양자점에 금속이온이 도핑되어, 상기 질화갈륨의 띠틈전이 에너지가 낮아진, 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점
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제 11 항에 있어서, 상기 금속이온은 아연(Zn), 마그네슘(Mg) 및 인듐(In)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나의 이온을 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점
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13
제 11 항에 있어서, 상기 리간드는 올레일아민(oleylamine)을 포함하는 금속이온이 도핑된 질화갈륨 양자점
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제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항의 양자점을 포함하는 전자 소자
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