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차원 혼합 포토 다이오드를 픽셀 단위 소자로 갖는 이미지 센서에 있어서,광 신호에 응답하여 전기적 신호를 생성하는 포토 다이오드 - 상기 포토 다이오드는 1차원 반도체 물질과 2차원 반도체 물질 간의 계면이 형성된 차원 혼합 구조를 가지고, 상기 1차원 반도체 물질은 ZnO를 포함하고, 상기 2차원 반도체 물질은 WSe2를 포함함; 상기 포토 다이오드가 배치된 패널; 및상기 포토 다이오드의 전기적 신호를 수신하여 이미지 구동 신호를 출력하는 구동회로를 포함하되, 상기 2차원 반도체 물질은 단결정 2차원 나노구조를 갖는 시트 형태로 형성되고, 상기 1차원 반도체 물질은 와이어 형태로 형성되고, 상기 계면은 상기 2차원 반도체 물질로 형성된 시트가 상기 1차원 반도체 물질로 형성된 와이어의 표면 상에 전사되어 형성된 곡면 계면인 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 포토 다이오드는,기판;상기 기판 상에 형성된 1차원 반도체 물질; 상기 1차원 반도체 물질 상에 형성된 2차원 반도체 물질 - 상기 2차원 반도체 물질의 반도체 특성은 상기 1차원 반도체 물질의 반도체 특성과 상이함; 및상기 기판 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 포토 다이오드는 상기 1차원 반도체 물질 및 2차원 반도체 물질이 접촉된 영역에서 빛을 흡수하여 전자-정공 쌍을 생성할 수 있는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 포토 다이오드는,기판, 그리고 1차원 반도체 물질 및 2차원 반도체 물질 중 하나 이상의 반도체 물질 상에 형성된 패시베이션층을 더 포함하는 이미지 센서
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제7항에 있어서,상기 패시베이션층은 전자 쌍극자 효과를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제8항에 있어서, 상기 패시베이션층은 비정질 플루오르 폴리머를 포함한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제2항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 Au, Ti 및 이들의 조합으로 이루어진 그룹에서 선택된 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제10항에 있어서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 1차원 반도체 물질 상에 형성된 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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제2항에 있어서,상기 기판은 SiO2/p+-Si를 포함한 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 이미지 센서
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