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CIS계 박막의 평탄화 방법, 이를 이용하여 제조된 CIS계 박막 및 상기 CIS계 박막을 포함하는 태양전지

  • 기술번호 : KST2022007829
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 작업 전극으로서, 전도성 기재 상에 구비된 CIS계 화합물 층; 상대 전극; 및 상기 CIS계 화합물 층을 구성하는 원소들의 전구체, 지지 전해질, 착화제, 및 히드록시 작용기를 포함하는 첨가제를 포함하는 전해질 용액;으로 구성된 전기화학전지에 전류 또는 전압을 인가하여, 상기 CIS계 화합물 층을 전해 연마하는 단계를 포함하는, CIS계 박막의 평탄화 방법에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0445 (2014.01.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0326(2013.01) H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020200164472 (2020.11.30)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2022-0075884 (2022.06.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 국내출원/신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.30)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이도권 서울특별시 성북구
2 김승태 서울특별시 성북구
3 유병수 서울특별시 성북구
4 장윤희 서울특별시 성북구
5 정증현 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2020.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-1292057-13
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2021.09.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
작업 전극으로서, 전도성 기재 상에 구비된 CIS계 화합물 층; 상대 전극; 및 상기 CIS계 화합물 층을 구성하는 원소들의 전구체, 지지 전해질, 착화제, 및 히드록시 작용기를 포함하는 첨가제를 포함하는 전해질 용액;으로 구성된 전기화학전지에 전류 또는 전압을 인가하여, 상기 CIS계 화합물 층을 전해 연마하는 단계를 포함하는, CIS계 박막의 평탄화 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 히드록시 작용기를 포함하는 첨가제는 C1 내지 C10의 알코올인 것을 특징으로 하는, CIS계 박막의 평탄화 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 히드록시 작용기를 포함하는 첨가제의 함량은 상기 전해질 용액에 대하여 0
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 전해 연마하는 단계에서의 인가 전압(vs
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청구항 1에 있어서, 상기 전해 연마하는 단계는 5분 내지 150분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는, CIS계 박막의 평탄화 방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 전해질 용액의 pH는 2
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 CIS계 화합물 층은 구리인듐셀렌(CIS) 화합물, 구리인듐갈륨셀렌 (CIGS) 화합물 또는 구리아연주석황 (CZTS) 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, CIS계 박막의 평탄화 방법
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 전구체는 In, Ga, Zn, Sn, Al 및 그 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 금속의 염화물, 황산염, 질산염, 아세트산염 또는 수산화물이거나, SeO2, H2SeO3 또는 SeCl4인 것을 특징으로 하는, CIS계 박막의 평탄화 방법
9 9
청구항 1에 따른 방법을 이용하여 제조된 CIS계 박막
10 10
청구항 9에 따른 CIS계 박막을 광흡수층으로서 포함하는 박막 태양전지
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 박막 태양전지는 탠덤형 태양전지이며, 상기 CIS계 박막은 하부 셀의 광흡수층으로서 포함되는 것을 특징으로 하는, 박막 태양전지
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2 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 기후변화대응기술개발사업 CIGS 박막태양전지 기반 고효율 투광형 태양전지 모듈 원천기술