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상면과 하면을 관통하는 복수의 관통홀이 형성된 베이스 기판;상기 베이스 기판의 상면, 하면, 및 상기 관통홀의 내측면에 형성되어, 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 형성되는 제1 도전층; 상기 제1 도전층 상에 형성되어, 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 형성되는 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층 상에 형성되어, 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 형성되는 제2 도전층을 포함하고, 상기 관통홀은 관통홀의 지름(D)과 높이(H)의 단차비(H/D)가 기준 단차비보다 크게 형성되어, 상기 관통홀의 넓이의 두배보다 상기 관통홀의 내측면 넓이가 크게 형성되며, 상기 기준 단차비는 관통홀의 상면과 하면의 면적의 합과 관통홀의 내측면의 면적이 동일한 때의 단차비(H/D)인, 관통홀 구조를 갖는 캐패시터
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상면과 하면을 관통하는 복수의 관통홀이 형성되고, 전기전도성을 갖는 재질로 형성된 베이스 기판인 제1 도전층;상기 제1 도전층의 상면, 하면, 및 상기 관통홀의 내측면에 형성되어, 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 형성되는 제1 절연층; 및 상기 제1 절연층 상에 형성되어, 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 형성되는 제2 도전층을 포함하고, 상기 관통홀은 관통홀의 지름(D)과 높이(H)의 단차비(H/D)가 기준 단차비보다 크게 형성되어, 상기 관통홀의 넓이의 두배보다 상기 관통홀의 내측면 넓이가 크게 형성되며,상기 기준 단차비는 관통홀의 상면과 하면의 면적의 합과 관통홀의 내측면의 면적이 동일한 때의 단차비(H/D)인, 관통홀 구조를 갖는 캐패시터
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청구항 1 또는 3에 있어서,상기 관통홀은 복수개가 동일한 간격만큼 이격되어 형성되며, 상기 관통홀의 형상은 원형 또는 육각형이고, 하나의 관통홀에 6개의 관통홀이 인접하게 배치되는, 관통홀 구조를 갖는 캐패시터
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청구항 1 또는 3에 있어서,상기 제2 도전층 상에 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 형성되는 부가 절연층; 및 상기 부가 절연층 상에 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 형성되는 부가 도전층을 더 포함하며,상기 부가 절연층과 부가 도전층은 번갈아가며 적어도 하나 이상 적층되고,상기 적어도 하나 이상의 부가 도전층과 상기 제1 도전층 또는 제2 도전층을 연결하는 적어도 하나 이상의 연결전극을 더 포함하는, 관통홀 구조를 갖는 캐패시터
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청구항 1 또는 3에 있어서,상기 관통홀의 형성에 의한 캐패시터 면적은 에 의해 결정되며, 상기 C3d는 관통홀 형성에 의한 캐패시터 면적이고, 상기 a는 관통홀의 형상에 따른 계수이며, 상기 H는 관통홀의 높이이고, 상기 D는 관통홀의 지름이며, 상기 C2d는 관통홀의 평면 면적이고, 상기 AF는 영역팩터(Aera Factor)이며,상기 영역팩터(AF)는 단위면적당 관통홀이 차지하는 면적비인, 관통홀 구조를 갖는 캐패시터
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베이스 기판에 상면과 하면을 관통하는 관통홀을 복수개 형성하는 관통홀 형성단계;상기 베이스 기판의 상면, 하면, 및 상기 관통홀의 내측면에, 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 제1 도전층을 형성하는 제1 도전층 형성단계;상기 제1 도전층 상에 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 제1 절연층을 형성하는 제1 절연층 형성단계; 및상기 제1 절연층 상에 상기 복수의 관통홀에 걸쳐 연속적으로 제2 도전층을 형성하는 제2 도전층 형성단계를 포함하고,상기 관통홀은 관통홀의 지름(D)과 높이(H)의 단차비(H/D)가 기준 단차비보다 크게 형성되어, 상기 관통홀의 넓이의 두배보다 상기 관통홀의 내측면 넓이가 크게 형성되며,상기 기준 단차비는 관통홀의 상면과 하면의 면적의 합과 관통홀의 내측면의 면적이 동일한 때의 단차비(H/D)인, 관통홀 구조를 갖는 캐패시터 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 제2 도전층 상에 부가 절연층을 형성하는 부가 절연층 형성단계; 및상기 부가 절연층 상에 부가 도전층을 형성하는 부가 도전층 형성단계를 더 포함하고, 상기 부가 절연층 형성단계와 상기 부가 도전층 형성단계는 번갈아가며 적어도 한번 이상 수행되며,상기 제1 도전층 또는 제2 도전층과 상기 부가 도전층을 연결하는 적어도 하나 이상의 연결전극을 형성하는 연결전극 형성단계를 더 포함하는, 관통홀 구조를 갖는 캐패시터 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 관통홀의 형성에 의한 캐패시터 면적은 에 의해 결정되며, 상기 C3d는 관통홀 형성에 의한 캐패시터 면적이고, 상기 a는 관통홀의 형상에 따른 계수이며, 상기 H는 관통홀의 높이이고, 상기 D는 관통홀의 지름이며, 상기 C2d는 관통홀의 평면 면적이고, 상기 AF는 영역팩터(Aera Factor)이며,상기 영역팩터(AF)는 단위면적당 관통홀이 차지하는 면적비인, 관통홀 구조를 갖는 캐패시터 제조방법
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