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실리콘 기판의 일부를 이용하여 형성되고, 채널 영역이 상기 실리콘 기판으로부터 이격되고 양단이 상기 실리콘 기판에 의해 지지되도록 형성된 실리콘 나노와이어;상기 실리콘 나노와이어의 채널 영역을 감싸도록 형성되는 게이트절연층;상기 게이트절연층을 감싸도록 상기 실리콘 기판 상에 형성되는 게이트;상기 실리콘 나노와이어의 일단에 형성되는 소스; 및상기 실리콘 나노와이어의 타단에 형성되는 드레인을 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터
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청구항 1에 있어서,상기 실리콘 나노와이어는 상기 실리콘 기판의 일부인 지지구조물에 의해 양단이 지지되고, 상기 지지구조물에 형성된 실리콘산화막에 의해 상기 실리콘 기판과 전기적으로 절연되는, 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터
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청구항 2에 있어서,전기절연성을 갖는 재질로 형성되고, 상기 실리콘 기판의 상기 지지구조물 측면에 형성된 빈공간에 채워지는 보호층을 더 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터
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실리콘 기판에 지지구조물로 지지되는 실리콘 나노와이어를 형성하는 실리콘 나노와이어 형성단계;상기 실리콘 나노와이어의 채널 영역에 접촉한 상기 지지구조물의 일부를 제거하여 상기 채널 영역을 노출시키는 노출단계; 및상기 채널 영역을 감싸는 게이트를 형성하고 상기 실리콘 나노와이어의 일단과 타단에 소스와 드레인을 형성하는 트랜지스터 형성단계를 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 실리콘 나노와이어 형성단계는 상기 실리콘 기판에 실리콘산화막 및 실리콘질화막을 순서대로 형성하고, 상기 실리콘질화막 상에 포토레지스트를 형성하고 패터닝하여 실리콘 나노와이어를 형성하기 위한 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크를 이용하여 상기 실리콘 기판을 일정 깊이로 식각하여 칼럼구조물을 형성하는 단계;상기 칼럼구조물을 이방성 식각하여 단면이 모래시계 형상인 지지구조물을 형성하는 단계; 및상기 지지구조물의 표면을 산화시켜 상기 지지구조물의 상부에 실리콘 나노와이어를 형성하는 단계를 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 실리콘 나노와이어 형성단계 이후에, 상기 실리콘 기판의 상기 지지구조물 측면에 형성된 빈공간에 전기절연성을 갖는 물질을 채워 보호층을 형성하는 보호층 형성단계를 더 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 제조방법
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청구항 4 또는 6에 있어서, 상기 노출단계는 상기 채널 영역을 감싸는 게이트가 형성될 영역만을 노출하도록 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크를 이용한 식각을 수행하여 상기 채널 영역을 노출시키고 상기 게이트가 형성될 공간을 형성하는 단계; 및상기 마스크를 제거하는 단계를 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 트랜지스터 형성단계는 상기 노출된 채널 영역을 감싸도록 게이트절연층을 형성하는 단계;폴리실리콘 재질의 게이트형성층을 실리콘 기판 상에 형성하는 단계;게이트형성층 상에 사진식각 공정을 이용하여 게이트를 형성하는 단계;상기 실리콘 나노와이어의 양단에 도펀트를 도핑하여 소스 및 드레인을 형성하는 단계를 포함하는, 실리콘 나노와이어를 이용한 트랜지스터 제조방법
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