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향상된 접촉영역을 갖는 실리콘 나노와이어 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2020007469
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예는, 실리콘 기판에서 와이어부가 형성될 위치에 제1 폭을 갖는 적어도 하나 이상의 와이어마스크 및 상기 실리콘 기판에서 콘택트부가 형성될 위치에 상기 와이어마스크 마스크와 연속되어 형성되는 버퍼마스크를 포함하는 제1 마스크를 형성하는 제1 마스크 형성단계, 상기 제1 마스크를 이용한 식각 및 산화 공정을 수행하여, 상기 실리콘 기판의 상기 와이어마스크 부분에 직경이 나노스케일인 와이어부를 형성하는 와이어부 형성단계, 상기 와이어부 형성단계에서 상기 실리콘 기판이 식각되어 제거된 공간에 상기 와이어부를 보호하는 제1 보호층을 형성하는 제1 보호층 형성단계, 상기 실리콘 기판에서 상기 콘택트부가 형성될 위치에 제2 폭을 갖는 적어도 하나 이상의 콘택트마스크 및 상기 와이어부를 커버하는 커버마스크를 포함하는 제2 마스크를 형성하는 제2 마스크 형성단계, 및 상기 제2 마스크를 이용한 식각 및 산화 공정을 수행하여, 상기 실리콘 기판의 상기 콘택트마스크 부분에 상기 와이어부의 직경보다 큰 콘택트부를 형성하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 콘택트부 형성단계를 포함하는, 향상된 접촉영역을 갖는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 29/06 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 29/41 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/285 (2006.01.01)
CPC H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자 1020180127418 (2018.10.24)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0046366 (2020.05.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.24)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정석원 경기도 오산
2 조남규 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 청운특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층 (서초동, 장생빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2018-1051020-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.08.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0099988-44
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0839133-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2020-0052639-90
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0052640-36
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0282027-98
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2020.05.15 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2020-0493530-99
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
2020.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2020-0493529-42
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2020.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0421437-76
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
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번호 청구항
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실리콘 기판에서 와이어부가 형성될 위치에 제1 폭을 갖는 적어도 하나 이상의 와이어마스크 및 상기 실리콘 기판에서 콘택트부가 형성될 위치에 상기 와이어마스크와 연속되어 형성되는 버퍼마스크를 포함하는 제1 마스크를 형성하는 제1 마스크 형성단계;상기 제1 마스크를 이용한 식각 및 산화 공정을 수행하여, 상기 실리콘 기판의 상기 와이어마스크 부분에 직경이 나노스케일인 와이어부를 형성하는 와이어부 형성단계;상기 와이어부 형성단계에서 상기 실리콘 기판이 식각되어 제거된 공간에 상기 와이어부를 보호하는 제1 보호층을 형성하는 제1 보호층 형성단계;상기 실리콘 기판에서 상기 콘택트부가 형성될 위치에 제2 폭을 갖는 적어도 하나 이상의 콘택트마스크 및 상기 와이어부를 커버하는 커버마스크를 포함하는 제2 마스크를 형성하는 제2 마스크 형성단계; 및상기 제2 마스크를 이용한 식각 및 산화 공정을 수행하여, 상기 실리콘 기판의 상기 콘택트마스크 부분에 상기 와이어부의 직경보다 큰 콘택트부를 형성하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 콘택트부 형성단계를 포함하는, 향상된 접촉영역을 갖는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 버퍼마스크는 상기 콘택트마스크보다 넓게 형성되는, 향상된 접촉영역을 갖는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법
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청구항 5에 있어서,상기 콘택트부 형성단계에서 상기 실리콘 기판이 식각되어 제거된 공간에 상기 콘택트부를 보호하는 제2 보호층을 형성하는 제2 보호층 형성단계; 상기 실리콘 나노와이어를 덮어 보호하도록 절연층을 형성하고, 상기 절연층에 콘택트부를 노출하도록 콘택트홀을 형성하는 절연층 형성단계; 및상기 콘택트홀을 통하여 상기 콘택트부와 연결되도록 금속 재질의 전극패턴을 형성하는 전극패턴 형성단계를 포함하는, 향상된 접촉영역을 갖는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 전극패턴 형성단계 이전에, 상기 콘택트부에 금속을 증착하고 열처리하여 실리사이드를 형성하는 실리사이드 형성단계를 더 포함하는, 향상된 접촉영역을 갖는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법
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1 미래부 (주)신성씨앤티 ICT유망기술개발지원사업 (M)나노와이어 소자를 이용한 초고감도 멤스 압력센서 개발