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단결정성 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 물품

  • 기술번호 : KST2020004727
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 결정배향성이 우수한 단결정성 박막과 이의 제조방법, 단결정성 박막을 포함하는 반도체 소자, 전지 소자, 초전도선재 및 초전도 물품에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 다결정의 제1 물질로 형성된 기판의 상부에 다결정의 제2 물질이 증착되어 형성되고, 결정립계에서의 결정배향성이 하기 관계식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 단결정성 박막과 이의 제조방법, 단결정성 박막을 포함하는 반도체 소자, 전지 소자, 초전도선재 및 초전도 물품을 기술적 요지로 한다. [관계식 1] 0°003c# FWHM2 ≤ 3° (단, FWHM2는 박막 결정립계에서의 결정방위차 각도(misorientation angle) 분포곡선의 반가폭(full width at half maximum)이다.)
Int. CL C23C 14/16 (2006.01.01) C23C 14/02 (2006.01.01) C23C 14/24 (2006.01.01) C22C 38/10 (2006.01.01) C30B 30/00 (2006.01.01) C21D 6/00 (2006.01.01) H01L 39/24 (2006.01.01) H01L 39/12 (2006.01.01) H01L 39/08 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020190127641 (2019.10.15)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0050862 (2020.05.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020180133927   |   2018.11.02
대한민국  |   1020180135829   |   2018.11.07
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호섭 경상남도 김해시 번화*로 ***, *
2 오상수 경상남도 김해시 율하*로 **,
3 하홍수 경상남도 창원시 성산구
4 조정현 경상남도 창원시 성산구
5 김관태 경상남도 김해시 장유로 ***,
6 노현우 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2019.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-1049049-01
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번호 청구항
1 1
다결정의 제1 물질로 형성된 기판의 상부에 다결정의 제2 물질이 증착되어 형성되고, 결정립계에서의 결정배향성이 하기 관계식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 단결정성 박막:[관계식 1]0°003c# FWHM2 ≤ 3°(단, FWHM2는 박막 결정립계에서의 결정방위차 각도(misorientation angle) 분포곡선의 반가폭(full width at half maximum)이다
2 2
제1 항에 있어서,상기 박막은,상기 제2 물질이 증착되면서 형성되는 결정립의 크기가 상기 기판의 결정립의 크기의 적어도 2배인 것을 특징으로 하는 단결정성 박막
3 3
제1 항에 있어서,상기 제2 물질은,Fe, Fe 합금 또는 Fe계 화합물인 것을 특징으로 하는 단결정성 박막
4 4
제1 항에 있어서,상기 기판과 상기 박막의 결정배향성이 하기 관계식 2를 만족하는 것을 특징으로 하는 단결정성 박막:[관계식 2]5°003c# FWHM1 - FWHM2 ≤ 20°(단, FWHM1, FWHM2는 각각 기판과 박막의 결정립계에서의 결정방위차 각도(misorientation angle) 분포곡선의 반가폭(full width at half maximum)이다
5 5
제1 항에 있어서,상기 제1 물질은,결정질 고체인 것을 특징으로 하는 단결정성 박막
6 6
다결정의 제1 물질로 형성된 기판을 준비하는 단계; 및상기 기판의 상부에 다결정의 제2 물질을 증착시켜 박막을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지고,상기 박막을 형성하는 단계는,상기 기판의 결정립의 결정의 크기(grain size)보다 큰 결정이 생성되면서 상기 기판의 결정립들의 배향축의 평균방향과 평행하게 결정배향되도록 증착되어, 결정립의 결정배향성이 우수한 박막이 형성되는 것을 특징으로 하는 단결정성 박막의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 단결정성 박막은 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 따른 단결정성 박막인 것을 특징으로 하는 단결정성 박막의 제조방법
8 8
제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 따른 단결정성 박막을 포함하는 반도체 소자
9 9
제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 따른 단결정성 박막을 포함하는 전지 소자
10 10
기판;상기 기판의 상부에 제1 항 내지 제5 항 중 어느 한 항에 따른 박막이 증착되어 형성되는 박막층; 및상기 박막층의 상부에 형성되는 초전도층;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 초전도선재
11 11
제10 항에 따른 초전도선재를 포함하는 초전도 물품
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 미래소재디스커버리지원(R&D) High-throughput 법을 이용한 신자성소재 개발
2 과학기술정보통신부 한국전기연구원 정부출연금사업 차세대 초전도선재용 단결정 수준 기판 제조 기술 개발