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금속 박 집전체의 단면 또는 양면 표면에 부식 억제 첨가제를 포함하는 전도층을 도포하는 전도층 도포단계; 및상기 전도층 표면에 활물질을 포함하는 전극층을 도포하는 전극층 도포단계;를 포함하는 슈퍼커패시터용 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 박 집전체는,알루미늄 및 구리 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 부식 억제 첨가제는,평균입경이 1μm 이하인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 부식 억제 첨가제는,미세 다공성 기공을 가지는 활성탄, 제올라이트, 실리카겔, 활성알루미나 또는 나노 입경의 실리콘 (Si), 타이타늄 (Ti), 이산화규소 (SiO2), 이산화 타이타늄 (TiO2), 이산화 타이타늄 (TiO2), 세륨(Ⅳ)산화물(CeO2), 지르코늄디옥사이드(ZrO2), 산화이트륨(Y2O3) 분말 및 이의 혼합으로부터 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 부식 억제 첨가제는,비표면적이 500 내지 4,000m2/g 범위이며, 평균입경이 0
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제1항에 있어서, 상기 전도층은 상기 부식 억제 첨가제와 도전재 및 바인더를 용매와 함께 슬러리 도포하며,고형분 기준으로 상기 부식 억제 첨가제의 중량비가 1 내지 10%, 상기 도전재의 중량비가 10 내지 40%, 바인더가 50 내지 89%인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 도전재는 카본블랙, 카본나노튜브, 카본나노파이브, 흑연, 그래핀 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 바인더는, PTFE (Polytetrafluoroethylene), CMC (Carboxymethylcellulose), PVA (Polyvinyl alcohol), PVDF (Polyvinyliene fluoride), PVP (Polyvinylpyrrolidone), MC (메틸 셀룰로오스), 에틸렌-염화비닐 공중합수지, 염화비닐리덴 라텍스, 염소화 수지, 초산 비닐 수지, 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 포름알, 비스페놀계 에폭시 수지, 부타디엔 고무, 이소프렌 고무, 니트릴 부타디엔 고무, 우레탄 고무, 실리콘 고무, 아크릴 고무 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전도층은 프레스한 후 두께가 2μm 이하인 것을 특징으로 하는 슈퍼커패시터용 전극 제조방법
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 슈퍼커패시터용 전극 제조방법에 따라 제조된 슈퍼커패시터용 전극은, 금속 박 집전체;상기 금속 박 집전체의 단면 또는 양면 표면에 도포되며, 부식 억제 첨가제를 포함하는 전도층; 및상기 전도층 표면에 형성되며, 활물질을 포함하는 전극층;을 포함하는 슈퍼커패시터용 전극
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 슈퍼커패시터용 전극 제조방법에 따라 제조된 슈퍼커패시터용 전극을 이용하는 슈퍼커패시터
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