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(a) 테트라옥틸암모늄 브로마이드(TOABr)가 용해된 무극성 용매와 은 전구체가 용해된 극성 용매를 혼합하여 혼합물을 제조하는 단계;(b) 상기 혼합물에 싸이오설페이트염을 첨가하여 무극성 용매층으로 은-싸이오설페이트 음이온([Ag(S2O3)2]3-)을 상전이시키는 단계;(c) 상기 은-싸이오설페이트 음이온이 상전이된 무극성 용매층을 분리한 후, 환원제를 첨가하여 은 나노입자를 합성하는 단계;(d) 상기 은 나노입자가 분산된 무극성 용매에, 기판을 담지하여 상기 기판 상에 입자층을 형성하는 단계; 및(e) 아민기를 가지는 단분자 물질이 분산된 유기 용매에, 상기 입자층이 형성된 상기 기판을 담지하여 상기 입자층 상에 링커층을 형성하는 단계;를 포함하는 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (b) 단계에서 브롬 이온(Br-)과 싸이오설페이트 이온[(S2O3)2]3-] 사이의 음이온 치환 반응을 통해 형성된 은-싸이오설페이트 음이온([Ag(S2O3)2]3-)이 무극성 용매층으로 상전이되는 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 무극성 용매는 벤젠(benzene), 헥세인(hexane), 톨루엔(toluene), 이황화탄소(CS2), 사염화탄소(CCl4), 클로로포름(CHCl3), 디클로로메탄(CH2Cl2) 및 옥타데센(Octadecene)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 은 전구체는 질산은(AgNO3), 과염소산은(AlClO4), 염소산은(AgClO3), 탄산은(Ag2CO3), 황산은(Ag2SO4), 염화은(AgCl), 브롬화은(AgBr) 및 불소은(AgF)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 극성 용매는 물, 및 알코올로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 싸이오설페이트염은 소듐싸이오설페이트, 암모늄싸이오설페이트, 실버싸이오설페이트 및 포타슘싸이오설페이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 환원제는 수소화붕소나트륨, 하이드라진, 아스코브르산, 및 아스코브르산 나트륨으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 유기 용매는 에탄올인 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (d) 단계 및 상기 (e) 단계를 순차적으로 다수 회에 걸쳐 반복하는 단계;를 더 포함하는 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 단분자 물질은 트리스(2-아미노에틸)아민 (tris(2-aminoethylamine), TREN)인 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 (d) 단계 이전에, PEI(polyethylenimine)가 분산된 용액에 상기 기판을 담지하여 상기 기판 상에 기초층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 전기전도성 박막의 제조방법
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청구항 11에 있어서,상기 기초층을 형성하기 이전에, 상기 기판을 RCA 용액에 담지하거나 UV 오존 처리하여 상기 기판의 표면을 (-)전하로 대전하는 단계;를 더 포함하는 전기전도성 박막의 제조방법
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