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페로브스카이트 화합물, 1가 음이온 첨가제 및 용매를 포함하고,상기 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 용액
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제1항에 있어서, 상기 A는 C1~24의 직쇄 또는 측쇄 알킬, 아민기(-NH3), 수산화기(-OH), 시아노기(-CN), 할로겐기, 니트로기(-NO), 메톡시기(-OCH3) 또는 이미다졸리움기가 치환된 C1~24의 직쇄 또는 측쇄 알킬, Li+, Na+, K+, Rb+, Cs+, Fr+, Cu(I) +, Ag(I)+ 및 Au(I)+으로 이루어진 군 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 용액
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제1항에 있어서,상기 M은 Bi3+, Sb3+, As3+, In3+, Co3+, Ni3+, Al3+, Ga3+, Tl3+, Sc3+, Y3+, La3+, Ce3+, Fe3+, Ru3+, Cr3+, V3+ 및 Ti3+로 이루어진 군 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 용액
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제1항에 있어서,상기 X는 F-, Cl-, Br-, I-, PF6-, TFSI-, SCN- 및 BF4-으로 이루어진 군 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 용액
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제1항에 있어서,상기 1가 음이온 첨가제는 상기 페로브스카이트 화합물의X의 1가 음이온 공공을 감소시키는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 용액
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제1항에 있어서,상기 1가 음이온 첨가제는 염산(HCl), 브롬산(HBr), 요오드산(HI), 불화붕산(HBF4), 육불화인산(HPF6), 티오시안산(HSCN), 트리플루오로메탄술폰이미드(Trifluoromethanesulfonimide, HTFSI,) 및 RX(상기 R은 메틸암모늄(Methylammonium, MA)이고, 상기 X는 1가 음이온)로 이루어진 군 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 용액
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제1항에 있어서,상기 1가 음이온 첨가제는 상기 페로브스카이트 용액 총 중량 대비 0
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페로브스카이트 화합물, 1가 음이온 첨가제 및 용매를 포함하는 페로브스카이트 용액을 이용하여 제조되는 페로브스카이트 입자로서,상기 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되며,[화학식 1]AaMbXc(A는 1가의 양이온이고, M은 3가의 금속 양이온이며, X는 1가의 음이온이고, a+3b=c이며, a, b, c는 자연수임
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제8항에 있어서,상기 페로브스카이트 입자는 트랩 밀도(Trap density)가 108 ㎝-3 내지 1015 ㎝-3인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 입자
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제8항에 있어서,상기 페로브스카이트 입자는 직경이 1 nm 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 입자
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페로브스카이트 화합물, 1가 음이온 첨가제 및 용매를 포함하는 페로브스카이트 용액을 이용하여 제조되는 페로브스카이트 막으로서,상기 페로브스카이트 화합물은 하기 화학식 1로 표시되며,[화학식 1]AaMbXc(A는 1가의 양이온이고, M은 3가의 금속 양이온이며, X는 1가의 음이온이고, a+3b=c이며, a, b, c는 자연수임
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제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 막은 트랩 밀도(Trap density)가 108 ㎝-3 내지 1015 ㎝-3인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 막
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제11항에 있어서,상기 페로브스카이트 막은 두께가 10 nm 내지 500,000 nm인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트 막
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제1 전극; 상기 제1 전극 상에 형성된 정공 전달층;상기 정공 전달층 상에 형성되고, 제11항에 따른 페로브스카이트 막으로 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 전자 전달층; 및상기 전자 전달층 상에 형성된 제2 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 광전소자
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제14항에 있어서,상기 활성층은 트랩 밀도(Trap density)가 108 ㎝-3 내지 1015 ㎝-3인 것을 특징으로 하는, 페로브스카이트 광전소자
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