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직류전원 플라즈마를 발생시켜 기판에 다이아몬드를 성장 시킬 수 있는 내부 공간이 형성되는 플라즈마 챔버;상기 기판을 지지할 수 있도록 상기 플라즈마 챔버의 상기 내부 공간에 설치되고, 일측이 접지되어 있는 양극부; 및상기 양극부와 대향되도록 상기 플라즈마 챔버의 상부에 설치되고, 서로 독립된 직류전원 공급장치와 연결되는 복수개의 음극 장치의 조합으로 형성되며, 상기 음극 장치 조합 각각의 음극 간 이격 거리 조절이 가능한 음극부;를 포함하는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 1 항에 있어서,상기 음극 장치는,상기 플라즈마 챔버의 상부에 설치되고, 원기둥 형상으로 형성되어 상기 직류전원 공급장치와 연결되는 음극 본체;상기 음극 본체와 동일한 지름의 원기둥 형상으로 형성되어 상기 음극 본체의 단부에 나사 결합되는 음극 홀더;상기 음극 홀더 보다 작은 지름의 봉 형상으로 형성되어 상기 음극 홀더의 단부에 나사 결합되는 음극 현수봉; 및상기 음극 현수봉 보다 큰 지름의 원기둥 형상으로 형성되어 상기 음극 현수봉의 단부에 나사 결합되는 상기 음극;을 포함하는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 2 항에 있어서,상기 음극 홀더는,상기 음극 현수봉의 결합 위치를 조절할 수 있도록, 상기 음극 현수봉이 나사 결합되는 나사홀부가 복수개 형성되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 3 항에 있어서,상기 음극 홀더는,중심부에 형성되는 하나의 중심 나사홀부를 중심으로 복수개의 상기 나사홀부가 5mm 이내 반경의 방사상으로 등각 배치되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 2 항에 있어서,상기 음극 홀더는,텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo) 및 탄탈륨(Ta) 중 어느 하나의 고융점 금속으로 형성되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 2 항에 있어서,상기 음극은,5mm 내지 10mm의 지름을 가지는 원기둥 형상으로 형성되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 2 항에 있어서,상기 음극 현수봉은,2mm 내지 4mm의 지름과 10mm 내지 20mm의 길이를 가지는 봉 형상으로 형성되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 2 항에 있어서,상기 음극 및 상기 음극 현수봉은, 탄탈륨(Ta)으로 형성되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 1 항에 있어서,상기 음극부는,상기 음극 장치의 조합 각각의 상기 음극 간 상기 이격 거리가 35mm 내지 50mm로 형성되고, 각각의 상기 음극 간 상기 이격 거리는 동일하게 형성되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 1 항에 있어서,상기 음극 장치의 조합은,중심부에 형성되는 하나의 중심 음극 장치를 중심으로 복수개의 상기 음극 장치가 방사상으로 등각 배치되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 10 항에 있어서,상기 음극 장치의 조합은,7개의 상기 음극 장치로 형성되고, 중심부에 형성되는 하나의 상기 중심 음극 장치를 중심으로 6개의 상기 음극 장치가 방사상으로 60도 간격으로 등각 배치되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 11 항에 있어서,상기 음극 장치의 조합은,각각의 상기 음극 장치의 중심 간 간격이 43mm 내지 47mm 간격으로 형성되는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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제 1 항에 있어서,상기 내부 공간의 플라즈마 반응 압력을 조절할 수 있도록, 상기 플라즈마 챔버의 일측에 설치되는 진공 펌프; 및상기 내부 공간으로 원료 가스를 주입할 수 있도록, 상기 플라즈마 챔버의 타측에 연결되는 가스 유입부;를 더 포함하는, 다음극 직류전원 플라즈마 CVD 다이아몬드 성장 장치
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