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베이스 기재 상에 배치되고 압전 특성과 반도체 특성을 동시에 갖는 압전 반도체 물질로 형성된 압전 효과 채널;상기 베이스 기재 상에서 상기 압전 효과 채널과 전기적으로 연결되도록 상기 압전 효과 채널 양단에 각각 배치된 제1 전극과 제2 전극; 및상기 압전 효과 채널 및 상기 제1 전극과 접촉하여 이들을 전기적으로 연결시키고, 상기 제2 전극과 이격되게 배치되며 도전성 그래핀으로 형성된 제1 그래핀 전극을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나는 소스 전극이고, 다른 하나는 드레인 전극이며,상기 압전 효과 채널은 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 전류 흐름을 제어하는 전류 채널로 기능하는, 스트레인 게이지
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제1항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 압전 효과 채널과 직접 연결되는,스트레인 게이지
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제1항에 있어서,상기 압전 효과 채널 및 상기 제2 전극과 접촉하여 이들을 전기적으로 연결시키고, 상기 제1 전극 및 상기 제1 그래핀 전극과 이격되게 배치된 제2 그래핀 전극을 더 포함하는,스트레인 게이지
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제1항에 있어서,상기 압전 반도체 물질은 이황화몰리브덴(Molybdenum disulfide, MoS2)을 포함하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지
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제1항에 있어서,상기 압전 반도체 물질은 II-VI족 간 화합물 반도체 및 III-V족 간 화합물 반도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지
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7
제1항에 있어서,상기 압전 효과 채널 및 상기 제1 그래핀 전극 중 적어도 하나는 도펀트로 도핑된 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지
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제1항에 있어서,상기 스트레인 게이지는 외력이 가해지는 경우, 상기 제1 그래핀 전극 및 상기 압전 효과 채널 사이의 쇼트키 장벽이 변화하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지
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베이스 기재 상에 배치되고 압전 특성과 반도체 특성을 동시에 갖는 압전 반도체 물질로 형성된 압전 효과 채널;상기 베이스 기재 상에서 상기 압전 효과 채널과 전기적으로 연결되도록 상기 압전 효과 채널 양단에 각각 배치된 제1 전극과 제2 전극;상기 압전 효과 채널 및 상기 제1 전극과 접촉하여 이들을 전기적으로 연결시키고, 상기 제2 전극과 이격되게 배치되며 도전성 그래핀으로 형성된 제1 그래핀 전극;상기 압전 효과 채널 상부에서 상기 압전 효과 채널과 상기 제1 그래핀 전극의 접촉부와 중첩하도록 배치된 게이트 전극; 및상기 게이트 전극과 상기 압전 효과 채널 사이에 게재되도록 상기 압전 효과 채널 및 상기 제1 그래핀 전극 상에 배치된 유전막을 포함하고,상기 제1 전극과 상기 제2 전극 중 하나는 소스 전극이고, 다른 하나는 드레인 전극이며,상기 압전 효과 채널은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 전류 흐름을 제어하는 전류 채널로 기능하는,스트레인 게이지
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제9항에 있어서,상기 제2 전극은 상기 압전 효과 채널과 직접 연결되는,스트레인 게이지
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제9항에 있어서,상기 압전 효과 채널 및 상기 제2 전극과 접촉하여 이들을 전기적으로 연결시키고, 상기 제1 전극 및 상기 제1 그래핀 전극과 이격되게 배치된 제2 그래핀 전극을 더 포함하는,스트레인 게이지
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제9항에 있어서,상기 압전 반도체 물질은 이황화몰리브덴(Molybdenum disulfide, MoS2)을 포함하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지
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제9항에 있어서,상기 압전 반도체 물질은 II-VI족 간 화합물 반도체 및 III-V족 간 화합물 반도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지
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제9항에 있어서,상기 스트레인 게이지는 외력이 가해지는 경우, 상기 제1 그래핀 전극 및 상기 압전 효과 채널 사이의 쇼트키 장벽이 변화하는 것을 특징으로 하는,스트레인 게이지
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제1항 내지 제3항, 제5항 내지 제11항 그리고 제13항 내지 제15항 중 어느 한 항의 스트레인 게이지를 포함하는,스트레인 센서
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