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입자(particle) 표면 코팅을 위한 개시제를 이용한 화학 기상 증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD) 시스템에 있어서,챔버 상부에 위치하며, 챔버의 내부로 입자(particle)를 주입하는 입자 주입부;챔버 중앙에 위치하며, 상기 챔버의 내부로 단량체(Monomer) 및 개시제(initiator)를 주입하는 전구체 주입부;챔버 하부에 위치하며, 상기 입자 주입부에 의해 주입되어 중력에 의해 하락하면서 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 회수하는 입자 회수부; 및상기 입자 회수부를 통해 챔버의 외부로 회수된 상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 냉각시키는 입자 냉각부를 포함하는 iCVD 시스템
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제1항에 있어서,상기 iCVD 시스템은 상기 입자 냉각부에 의해 냉각된 상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 상기 입자 주입부를 통해 다시 상기 챔버의 내부로 주입시켜, 표면 증착을 반복하여 상기 입자의 고분자 두께를 결정하는 것을 특징으로 하는 iCVD 시스템
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제1항에 있어서,상기 챔버 상부는흡착 방지를 위해 열 벽면(hot wall)으로 형성되며,상기 입자 주입부는상기 챔버 상부에 형성된 통로를 통해 상기 챔버의 내부로 캐리어 가스(carrier gas)와 함께 상기 입자를 주입하는 iCVD 시스템
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제1항에 있어서,상기 전구체 주입부는상기 챔버 중앙으로 상기 단량체 및 상기 개시제의 전구체를 주입하며, 상기 전구체 주입 후, 상기 챔버 상부 및 상기 챔버 하부의 통로를 차단하는 것을 특징으로 하는 iCVD 시스템
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제1항에 있어서,상기 입자 회수부는상기 챔버 하부에 형성된 통로를 오픈하여 상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 회수한 후, 상기 챔버 하부의 통로를 차단하여 상기 단량체 및 상기 개시제의 배출을 차단하는 iCVD 시스템
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제5항에 있어서,상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자는상기 입자 주입부를 통해 상기 챔버의 내부로 주입된 상기 입자가 중력에 의해 하락하면서 상기 단량체 및 상기 개시제에 의해 표면 상에 고분자 증착된 것을 특징으로 하는 iCVD 시스템
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제1항에 있어서,상기 입자 냉각부는상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 기 설정된 온도 범위에 도달되도록 냉각시키는 것을 특징으로 하는 iCVD 시스템
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제7항에 있어서,상기 입자 주입부는상기 입자 냉각부에 의해 냉각된 상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 상기 챔버 상부에 형성된 통로를 통해 상기 챔버의 내부로 캐리어 가스(carrier gas)와 함께 주입한 후, 상기 챔버 상부의 통로를 차단하는 iCVD 시스템
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입자(particle) 표면 코팅을 위한 개시제를 이용한 화학 기상 증착(initiated Chemical Vapor Deposition; iCVD) 방법에 있어서,챔버 상부에 위치하며, 챔버의 내부로 입자(particle)를 주입하는 제1 단계;챔버 중앙에 위치하며, 상기 챔버의 내부로 단량체(Monomer) 및 개시제(initiator)를 주입하는 제2 단계;챔버 하부에 위치하며, 상기 제1 단계에 의해 주입되어 중력에 의해 하락하면서 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 회수하는 제3 단계; 및상기 제3 단계를 통해 챔버의 외부로 회수된 상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 냉각시키는 제4 단계를 포함하는 iCVD 방법
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제9항에 있어서,상기 제4 단계에 의해 냉각된 상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 상기 제1 단계를 통해 다시 상기 챔버의 내부로 주입시켜, 상기 입자의 표면 증착을 반복하는 제5 단계를 더 포함하는 iCVD 방법
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제10항에 있어서,상기 제5 단계는반복 횟수에 따라 상기 입자의 고분자 두께를 결정하는 것을 특징으로 하는 iCVD 방법
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제9항에 있어서,상기 챔버 상부는흡착 방지를 위해 열 벽면(hot wall)으로 형성되며,상기 제1 단계는상기 챔버 상부에 형성된 통로를 통해 상기 챔버의 내부로 캐리어 가스(carrier gas)와 함께 상기 입자를 주입하는 iCVD 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 단계는상기 챔버 중앙으로 상기 단량체 및 상기 개시제의 전구체를 주입하며, 상기 전구체 주입 후, 상기 챔버 상부 및 상기 챔버 하부의 통로를 차단하는 것을 특징으로 하는 iCVD 방법
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제9항에 있어서,상기 제3 단계는상기 챔버 하부에 형성된 통로를 오픈하여 상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 회수한 후, 상기 챔버 하부의 통로를 차단하여 상기 단량체 및 상기 개시제의 배출을 차단하는 iCVD 방법
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제9항에 있어서,상기 제4 단계는상기 표면에 고분자 박막이 증착된 입자를 기 설정된 온도 범위에 도달되도록 냉각시키는 것을 특징으로 하는 iCVD 방법
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