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비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2020007514
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플렉서블 기판과, 상기 플렉서블 기판 상에 적층된 그래핀층을 포함하는 하부전극; 상기 그래핀층 상에 적층되며, 페로브스카이트 물질을 포함하는 저항변화층; 및 상기 저항변화층 상에 적층된 상부전극을 포함하며, 상기 하부전극은 플렉서블 특싱을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01.01) H01L 27/12 (2006.01.01)
CPC H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01) H01L 45/1253(2013.01)
출원번호/일자 1020180161371 (2018.12.13)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0073082 (2020.06.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.12.13)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호원 서울특별시 강남구
2 한지수 경기도 안산시 단원구
3 김효정 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 다해 대한민국 서울시 서초구 서운로**, ***호(서초동, 중앙로얄오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2018-1255217-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0036698-12
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0228098-63
8 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2020-0555990-10
9 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2020-0675388-14
10 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2020-0806066-68
11 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2020-0916633-48
12 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2020.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0131379-93
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2020-1044292-31
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.10.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1044291-96
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉서블 기판과, 상기 플렉서블 기판 상에 적층된 그래핀층을 포함하는 하부전극;상기 그래핀층 상에 적층되며, 페로브스카이트 물질을 포함하는 저항변화층; 및 상기 저항변화층 상에 적층된 상부전극을 포함하며, 상기 하부전극은 플렉서블 특싱을 갖는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 PET인 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자
3 3
제 1항에 있어서, 상기 그래핀은 화학기상증착법의하여 플렉서블 기판 상에 증착된 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 저항변화층은 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자
5 5
비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법으로, 플레서블 기판 상에 그래핀을 증착하여 하부전극을 형성하는 단계; 상기 하부전극 상에 페로브스카이트 물질을 포함하는 저항변화층을 형성하는 단계; 및 상기 저항변화층 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 플렉서블 기판은 PET인 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법
7 7
제 5항에 있어서, 상기 그래핀은 화학기상증착법의하여 플렉서블 기판 상에 증착된 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법
8 8
제 5항에 있어서, 상기 저항변화층은 할라이드 페로브스카이트 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 플렉서블 저항변화 메모리 소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 서울대학교 미래소재디스커버리사업 분자운동성 이온결정 소재 기반 멤리스터 제작 및 신뢰성 향상 기술 개발