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제1 전극기판; 상기 제1 전극기판에 대향되는 제2 전극기판; 및상기 제1 전극기판 상부에 형성되는 절연층;을 포함하되,상기 제1 전극기판 상부 표면에 위치하는 이온성 액체 또는 물의 접촉 표면 변화에 의해 발생하는 전기에너지의 변화량에 의해 중금속 이온을 탐지하는 것인 중금속 이온탐지 센서
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제1 전극기판;상기 제1 전극기판에 대향되는 제2 전극기판; 상기 제1 전극기판 상부에 형성되는 절연층;및상기 절연층 상부에 형성되는 자가조립 단분자층;을 포함하되,상기 자가조립 단분자층 상부 표면에 위치하는 이온성 액체 또는 물의 접촉 표면 변화에 의해 발생하는 전기에너지의 변화량에 의해 중금속 이온을 탐지하는 것인 중금속 이온탐지 센서
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 제2 전극기판의 수직 상하 운동에 의해 상기 제1 전극기판 상부 표면에 위치하는 이온성 액체 또는 물의 접촉 표면의 변화가 발생하는 것인 중금속 이온탐지 센서
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제1 항 또는 제2 항에 있어서,상기 이온성 액체는 중금속 이온을 포함하는 것인 중금속 이온탐지 센서
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제2 항에 있어서,상기 자가조립 단분자층은 발수성 코팅 물질 및 이온 흡착 물질을 포함하는 것인 중금속 이온탐지 센서
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제5 항에 있어서,상기 이온 흡착 물질은 N1-(3-Trimethoxysilylpropyl)diethylenetriamine) 또는 N-[3-(Trimethoxysilyl)propyl]ethylenediamine인 것인 중금속 이온탐지 센서
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제5 항에 있어서,상기 발수성 코팅 물질은 실란(Silane)계 물질, 플루오르중합체(Fluoropolymer) 물질, 트리클로로실란(Trichlorosilane), 트리에톡시실란(Trimethoxysilane), 펜타플루오르페닐프로필트리클로로실란(Pentafluorophenylpropyltrichlorosilane), (벤질옥시)알킬트리메톡시실란((Benzyloxy)alkyltrimethoxysilane, BSM-22), (벤질옥시)알킬트리클로로실란((Benzyloxy)alkyltrichlorosilane, BTS), 헥사메틸디실라잔 (Hexamethyldisilazane, HMDS), 옥타데실트리클로로실란 (Octadecyltrichlorosilane, OTS), 옥타데실트리메톡시실란 (Octadecyltrimethoxysilane, OTMS) 및 디비닐테트라메틸디실록산-비스-(벤조시클로부텐) (Divinyltetramethyldisiloxane-bis(benzocyclobutene), BCB)으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 1종인 것인 중금속 이온탐지 센서
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제1 전극기판 및 제2 전극기판을 준비하는 단계;상기 제1 전극기판 상부에 절연층을 적층하는 단계; 상기 절연층 상부에 자가조립 단분자층을 형성하는 단계; 및상기 자가조립 단분자층의 상부 표면에 이온성 액체 또는 물을 접촉시켜 이온을 상기 자가조립 단분자층의 상부 표면에 흡착시키는 단계;를 포함하는 것인 중금속 이온탐지 센서의 제조방법
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제8 항에 있어서,상기 자가조립 단분자층은 상기 절연층 상부에 발수성 코팅 물질 및 이온 흡착 물질을 도포 또는 증착하여 형성되는 것인 중금속 이온탐지 센서의 제조방법
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제1 항 또는 제2 항에 따른 중금속 이온탐지 센서를 이용하며,상기 제1 전극기판 상부 표면에 상기 물을 흡착시킨 후, 상기 제2 전극기판의 수직 상하운동에 의해 상기 물과 상기 제1 전극기판 상부 표면의 접촉면 변화에 따라 발생하는 전기 발생량을 획득하는 단계;상기 제1 전극기판 상부 표면에 상기 이온성 액체를 흡착시킨 후, 상기 제2 전극기판의 수직 상하 운동에 의해 상기 이온성 액체와 상기 제1 전극기판 상부 표면의 접촉면 변화에 따라 발생하는 전기 발생량을 획득하는 단계; 및 상기 물의 전기 발생량과 상기 이온성 액체의 전기 발생량을 비교하여 중금속 이온을 탐지하는 단계;를 포함하는 것인 중금속 이온탐지 방법
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