1 |
1
역전기투석장치; 및상기 역전기투석장치로부터 제공받은 전력에 의해 산화 전극부 및 환원 전극부가 형성되는 마이크로 유동칩을 포함하되, 상기 마이크로 유동칩에 투여되는 물질에 따라 상기 산화 전극부 또는 상기 환원 전극부에서 각각 생물학적 반응 또는 화학적 반응이 일어나는, 바이오 센싱 장치
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 역전기투석장치는 제1 역전기투석 전지부 및 제2 역전기투석 전지부를 포함하고, 상기 제1 역전기투석 전지부 또는 상기 제2 역전기투석 전지부는 교대로 배치된 복수의 양이온 교환막 및 음이온 교환막을 포함하는, 바이오 센싱 장치
|
3 |
3
제2항에 있어서,상기 제1 역전기투석 전지부 또는 상기 제2 역전기투석 전지부는 상기 복수의 양이온 교환막 및 음이온 교환막 사이에 배치된 복수의 챔버를 더 포함하되, 상기 복수의 챔버는 고염수를 포함하는 챔버와 상기 고염수보다 농도가 낮은 저염수를 포함하는 챔버가 교대로 배치된, 바이오 센싱 장치
|
4 |
4
제2항에 있어서, 상기 제1 역전기투석 전지부 및 제2 역전기투석 전지부의 최상층에 위치하는 챔버는 서로 연결되는, 바이오 센싱 장치
|
5 |
5
제1항에 있어서,상기 마이크로 유동칩은, 상기 역전기투석장치와 접촉하는 투명 커버층; 상기 투명 커버층과 대면하여 형성되는 투명 지지층; 및상기 투명 커버층과 상기 투명 지지층 사이에 형성되고, 상기 역전기투석장치와 접촉하는 산화 환원층을 포함하는, 바이오 센싱 장치
|
6 |
6
제5항에 있어서, 상기 산화 환원층은, 전해질이 포함된 수용액 및 전기 화학적 발광을 일으키는 물질을 포함하는 유동층; 및상기 산화 전극부 및 상기 환원 전극부가 형성되는 투명 전극을 포함하되, 상기 투여되는 물질은 상기 유동층에 투여되는, 바이오 센싱 장치
|
7 |
7
제5항에 있어서, 상기 역전기투석장치는 제1 역전기투석 전지부 및 제2 역전기투석 전지부를 포함하고,상기 투명 커버층은 상기 제1 역전기투석 전지부와 접촉하는 제1 투명 커버층과 상기 제2 역전기투석 전지부와 접촉하는 제2 투명 커버층을 포함하며, 상기 제1 투명 커버층과 상기 제2 투명 커버층에 각각 통공이 형성되는, 바이오 센싱 장치
|
8 |
8
제5항에 있어서, 상기 산화 환원층은, 환원 반응이 일어나는 감지부; 및 상기 환원층과 구별되고 산화 반응이 일어나는 발광부를 포함하되, 상기 투여되는 물질은 상기 감지부에 투여되고, 상기 전기 화학적 발광을 일으키는 물질은 상기 발광부에 투여되는, 바이오 센싱 장치
|
9 |
9
제8항에 있어서, 상기 전기 화학적 발광을 일으키는 물질은 Ru(bpy)3이고, 상기 투명 전극은 indium-tin oxide이며, 상기 산화 환원층은 TAP를 유동층으로 더 포함하는, 바이오 센싱 장치
|
10 |
10
제6항에 있어서, 상기 투여되는 물질이 전립선 암 표지자(prostate-specific antigen, PSA)인 경우, 상기 전기 화학적 발광을 일으키는 물질이 상기 산화 전극부 상에서 발광하는, 바이오 센싱 장치
|
11 |
11
제1항에 있어서,상기 역전기투석장치는, 교대로 설치된 양이온 교환막과 음이온 교환막을 통해 고체염 챔버 및 침전 챔버를 번갈아 형성되는 제1 역전기투석 전지부를 포함하고, 상기 고체염 챔버에는 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염이 교대로 채워지는, 바이오 센싱 장치
|
12 |
12
제11항에 있어서,수분이 공급되면, 상기 제1 수용성 고체염의 양이온과 상기 제2 수용성 고체염의 음이온, 그리고 상기 제1 수용성 고체염의 음이온과 상기 제2 수용성 고체염의 양이온은 이웃하는 침전 챔버에서 앙금을 형성하며 침전하는, 바이오 센싱 장치
|
13 |
13
제12항에 있어서,상기 앙금은,Ac(OH)2, Al(OH)3, As2S3, AgN3, AgBr, AgCl, AgCN, Ag2C2O4, Ba3(AsO4)2, BaCO3, BaCrO4, Ba2Fe(CN)6, BaSO4, BiAsO4, Bi(OH)3BiI3, BiPO4, Bi2S3, Cd3(AsO4)2, CdCO3, Cd2Fe(CN)6, Cd(OH)2, Cd3(PO4)2, CdS, Ca3(AsO4)2, CaCO3, CaC2O4, Ce(OH)3, CePO4, Ce(OH)4, CoC2O4, CuCN, CuOH, CuI, Cu2S, CuSCN, CuCO3, Cu(OH)2, CuC2O4, CuS, Er(OH)3, Eu(OH)3, Ga(OH)3, Hf(OH)3, Ho(OH)3, In(OH)3, In2S3, FeCO3, Fe(OH)2, FeAsO4, Fe(OH)3, PbCO3, PbCrO4, PbFe(CN)6, PbHPO4, Pb(OH)2, Pb(IO3)2, PbMoO4 , PbC2O4, PbS, Pb(OH)4, Lu(OH)3, Mg(OH)2, Mg3(PO4)2, MnCO3, Mn(OH)2, Hg2Br2 , Hg2CO3, Hg2Cl2, Hg2(CN)2 , HgS, NiCO3, Ni2P2O7, Pd(OH)2, Pd(OH)4, Pt(OH)2, PtBr4, PuF3, PoS, KB(C6H5)4, RaSO4, AgN3, AgBr, AgCl, AgCN, Ag2C2O4, SrF2, Sb2S3, SrWO4, ZnCO3, ZnC2O4 중 2개를 포함하는, 바이오 센싱 장치
|
14 |
14
제11항에 있어서,상기 역전기투석장치는,서로 마주보는 애노드와 캐소드;를 더 포함하며,상기 애노드와 상기 역전기투석 전지부의 일면 사이 및 상기 캐소드와 상기 역전기투석 전지부의 타면 사이에 형성된 산화 챔버 및 환원 챔버;를 더 포함하는, 바이오 센싱 장치
|
15 |
15
제11항에 있어서,상기 역전기투석장치는,교대로 설치된 양이온 교환막과 음이온 교환막을 통해 고체염 챔버 및 침전 챔버를 번갈아 형성하는 제2 역전기투석 전지부; 및상기 제2 역전기투석 전지부의 고체염 챔버에 채워지는 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염을 더 포함하며,상기 제1 역전기투석 전지부의 일면 및 상기 제2 역전기투석 전지부의 일면은, 동일 평면상에서 일정 간격 이격되게 놓여지며,상기 제1 역전기투석 전지부의 타면 및 상기 제2 역전기투석 전지부의 타면은 고체염 챔버 또는 침전 챔버 중 어느 하나를 공유하는, 바이오 센싱 장치
|
16 |
16
제15항에 있어서,상기 역전기투석장치는,애노드와 캐소드;를 더 포함하며,상기 애노드와 상기 제1 역전기투석 전지부의 일면 사이 및 상기 캐소드와 상기 제2 역전기투석 전지부의 타면 사이에 형성된 산화 챔버 및 환원 챔버;를 더 포함하는, 바이오 센싱 장치
|