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바이오 센싱 장치

  • 기술번호 : KST2019002116
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 바이오 센싱 장치에 대한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 바이오 센싱 장치는 역전기투석장치; 및 상기 역전기투석장치로부터 제공받은 전력에 의해 산화 전극부 및 환원 전극부가 형성되는 마이크로 유동칩을 포함하되, 상기 마이크로 유동칩에 투여되는 물질에 따라 상기 산화 전극부 또는 상기 환원 전극부에서 각각 생물학적 반응 또는 화학적 반응이 일어난다.
Int. CL G01N 27/327 (2006.01.01) G01N 27/333 (2006.01.01) G01N 33/574 (2006.01.01)
CPC G01N 27/3277(2013.01) G01N 27/3277(2013.01) G01N 27/3277(2013.01)
출원번호/일자 1020170113641 (2017.09.06)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0027076 (2019.03.14) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020190081405;
심사청구여부/일자 Y (2017.09.06)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정택동 대한민국 경기도 과천시 별양로 **
2 백설 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 권승용 대한민국 경상북도 김천시 신

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0863808-16
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0101537-36
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0873979-75
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0163833-08
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-0163832-52
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0320636-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2019.05.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2019-0533011-18
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2019-0533010-73
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2019.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0400751-47
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2019.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-0692191-57
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
역전기투석장치; 및상기 역전기투석장치로부터 제공받은 전력에 의해 산화 전극부 및 환원 전극부가 형성되는 마이크로 유동칩을 포함하되, 상기 마이크로 유동칩에 투여되는 물질에 따라 상기 산화 전극부 또는 상기 환원 전극부에서 각각 생물학적 반응 또는 화학적 반응이 일어나는, 바이오 센싱 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 역전기투석장치는 제1 역전기투석 전지부 및 제2 역전기투석 전지부를 포함하고, 상기 제1 역전기투석 전지부 또는 상기 제2 역전기투석 전지부는 교대로 배치된 복수의 양이온 교환막 및 음이온 교환막을 포함하는, 바이오 센싱 장치
3 3
제2항에 있어서,상기 제1 역전기투석 전지부 또는 상기 제2 역전기투석 전지부는 상기 복수의 양이온 교환막 및 음이온 교환막 사이에 배치된 복수의 챔버를 더 포함하되, 상기 복수의 챔버는 고염수를 포함하는 챔버와 상기 고염수보다 농도가 낮은 저염수를 포함하는 챔버가 교대로 배치된, 바이오 센싱 장치
4 4
제2항에 있어서, 상기 제1 역전기투석 전지부 및 제2 역전기투석 전지부의 최상층에 위치하는 챔버는 서로 연결되는, 바이오 센싱 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 마이크로 유동칩은, 상기 역전기투석장치와 접촉하는 투명 커버층; 상기 투명 커버층과 대면하여 형성되는 투명 지지층; 및상기 투명 커버층과 상기 투명 지지층 사이에 형성되고, 상기 역전기투석장치와 접촉하는 산화 환원층을 포함하는, 바이오 센싱 장치
6 6
제5항에 있어서, 상기 산화 환원층은, 전해질이 포함된 수용액 및 전기 화학적 발광을 일으키는 물질을 포함하는 유동층; 및상기 산화 전극부 및 상기 환원 전극부가 형성되는 투명 전극을 포함하되, 상기 투여되는 물질은 상기 유동층에 투여되는, 바이오 센싱 장치
7 7
제5항에 있어서, 상기 역전기투석장치는 제1 역전기투석 전지부 및 제2 역전기투석 전지부를 포함하고,상기 투명 커버층은 상기 제1 역전기투석 전지부와 접촉하는 제1 투명 커버층과 상기 제2 역전기투석 전지부와 접촉하는 제2 투명 커버층을 포함하며, 상기 제1 투명 커버층과 상기 제2 투명 커버층에 각각 통공이 형성되는, 바이오 센싱 장치
8 8
제5항에 있어서, 상기 산화 환원층은, 환원 반응이 일어나는 감지부; 및 상기 환원층과 구별되고 산화 반응이 일어나는 발광부를 포함하되, 상기 투여되는 물질은 상기 감지부에 투여되고, 상기 전기 화학적 발광을 일으키는 물질은 상기 발광부에 투여되는, 바이오 센싱 장치
9 9
제8항에 있어서, 상기 전기 화학적 발광을 일으키는 물질은 Ru(bpy)3이고, 상기 투명 전극은 indium-tin oxide이며, 상기 산화 환원층은 TAP를 유동층으로 더 포함하는, 바이오 센싱 장치
10 10
제6항에 있어서, 상기 투여되는 물질이 전립선 암 표지자(prostate-specific antigen, PSA)인 경우, 상기 전기 화학적 발광을 일으키는 물질이 상기 산화 전극부 상에서 발광하는, 바이오 센싱 장치
11 11
제1항에 있어서,상기 역전기투석장치는, 교대로 설치된 양이온 교환막과 음이온 교환막을 통해 고체염 챔버 및 침전 챔버를 번갈아 형성되는 제1 역전기투석 전지부를 포함하고, 상기 고체염 챔버에는 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염이 교대로 채워지는, 바이오 센싱 장치
12 12
제11항에 있어서,수분이 공급되면, 상기 제1 수용성 고체염의 양이온과 상기 제2 수용성 고체염의 음이온, 그리고 상기 제1 수용성 고체염의 음이온과 상기 제2 수용성 고체염의 양이온은 이웃하는 침전 챔버에서 앙금을 형성하며 침전하는, 바이오 센싱 장치
13 13
제12항에 있어서,상기 앙금은,Ac(OH)2, Al(OH)3, As2S3, AgN3, AgBr, AgCl, AgCN, Ag2C2O4, Ba3(AsO4)2, BaCO3, BaCrO4, Ba2Fe(CN)6, BaSO4, BiAsO4, Bi(OH)3BiI3, BiPO4, Bi2S3, Cd3(AsO4)2, CdCO3, Cd2Fe(CN)6, Cd(OH)2, Cd3(PO4)2, CdS, Ca3(AsO4)2, CaCO3, CaC2O4, Ce(OH)3, CePO4, Ce(OH)4, CoC2O4, CuCN, CuOH, CuI, Cu2S, CuSCN, CuCO3, Cu(OH)2, CuC2O4, CuS, Er(OH)3, Eu(OH)3, Ga(OH)3, Hf(OH)3, Ho(OH)3, In(OH)3, In2S3, FeCO3, Fe(OH)2, FeAsO4, Fe(OH)3, PbCO3, PbCrO4, PbFe(CN)6, PbHPO4, Pb(OH)2, Pb(IO3)2, PbMoO4 , PbC2O4, PbS, Pb(OH)4, Lu(OH)3, Mg(OH)2, Mg3(PO4)2, MnCO3, Mn(OH)2, Hg2Br2 , Hg2CO3, Hg2Cl2, Hg2(CN)2 , HgS, NiCO3, Ni2P2O7, Pd(OH)2, Pd(OH)4, Pt(OH)2, PtBr4, PuF3, PoS, KB(C6H5)4, RaSO4, AgN3, AgBr, AgCl, AgCN, Ag2C2O4, SrF2, Sb2S3, SrWO4, ZnCO3, ZnC2O4 중 2개를 포함하는, 바이오 센싱 장치
14 14
제11항에 있어서,상기 역전기투석장치는,서로 마주보는 애노드와 캐소드;를 더 포함하며,상기 애노드와 상기 역전기투석 전지부의 일면 사이 및 상기 캐소드와 상기 역전기투석 전지부의 타면 사이에 형성된 산화 챔버 및 환원 챔버;를 더 포함하는, 바이오 센싱 장치
15 15
제11항에 있어서,상기 역전기투석장치는,교대로 설치된 양이온 교환막과 음이온 교환막을 통해 고체염 챔버 및 침전 챔버를 번갈아 형성하는 제2 역전기투석 전지부; 및상기 제2 역전기투석 전지부의 고체염 챔버에 채워지는 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염을 더 포함하며,상기 제1 역전기투석 전지부의 일면 및 상기 제2 역전기투석 전지부의 일면은, 동일 평면상에서 일정 간격 이격되게 놓여지며,상기 제1 역전기투석 전지부의 타면 및 상기 제2 역전기투석 전지부의 타면은 고체염 챔버 또는 침전 챔버 중 어느 하나를 공유하는, 바이오 센싱 장치
16 16
제15항에 있어서,상기 역전기투석장치는,애노드와 캐소드;를 더 포함하며,상기 애노드와 상기 제1 역전기투석 전지부의 일면 사이 및 상기 캐소드와 상기 제2 역전기투석 전지부의 타면 사이에 형성된 산화 챔버 및 환원 챔버;를 더 포함하는, 바이오 센싱 장치
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1 미래창조과학부 서울대학교 나노·소재기술개발 칩 기반 이온트로닉스 원천 및 응용 기술 개발