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산화세륨 광 결정을 함유하며, 주기적인 홀 패턴의 캐비티 구조가 형성되어 페브리-페로 공동 공진(Fabry-Perot cavity resonance)을 발생시킴으로써 소정 밴드 갭 이상의 광자를 선택적으로 방출하도록 구성되며, 상기 산화세륨 광 결정의 그레인 사이즈는 120 내지 200 nm 범위인 2차원의 열 방사체
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제1항에 있어서, 상기 홀 패턴의 단면은 원형인 것을 특징으로 하는 2차원의 열 방사체
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제1항에 있어서, 상기 홀 패턴의 직경은 2000 nm 이하이고, 상기 홀 패턴의 피치는 4000 nm 이하이며, 이때, 피치는 홀 패턴 직경 기준으로 2배 이하인 것을 특징으로 하는 2차원의 열 방사체
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제4항에 있어서, 상기 홀 패턴의 높이는 최대 10000 nm이고, 이때 홀 패턴 내 공간의 면 비는 0
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제1항에 있어서, 상기 열 방사체 중 단위 셀의 면적 대비 홀 패턴 면적은 40 내지 70% 범위인 것을 특징으로 하는 2차원의 열 방사체
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a) 3 내지 10 ㎛의 입자 사이즈를 갖는 산화세륨 분말을 제공하는 단계;b) 상기 산화세륨 분말을 프레싱하여 소정 형상의 산화세륨 성형물을 제조하는 단계;c) 상기 성형물을 1300℃ 초과, 그리고 1800℃까지 범위에서 선택되는 온도 조건에서 열처리함으로써 산화세륨 성형물의 결정 구조를 변화시키는 단계; 및d) 열처리된 산화세륨 성형물의 적어도 일 면을 패턴화하는 단계;를 포함하며,상기 단계 d)에 의하여 상기 열처리된 산화세륨 성형물의 적어도 일 면에 주기적인 홀 패턴의 캐비티 구조가 형성되어 페브리-페로 공동 공진을 발생시킴으로써 소정 밴드 갭 이상의 광자를 선택적으로 방출하도록 구성되고,상기 열처리된 산화세륨 성형물 내 산화세륨 광 결정의 그레인 사이즈는 120 내지 200 nm 범위인 2차원의 열 방사체의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 단계 b)는 5 내지 20 MPa 범위의 프레싱 압력 조건 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원의 열 방사체의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 단계 c)는 1500 내지 1650℃ 범위에서 선정되는 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원의 열 방사체의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 단계 d)는 나노 패턴화 테크닉을 이용한 선택적 에칭 방법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 2차원의 열 방사체의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 나노 패턴화 테크닉은 포토레지스트를 이용한 포토리소그래피, 전자빔 리소그래피, 집속이온빔 리소그래피, 나노 임프린트법 또는 산화 알루미늄 피막 마스크 형성법인 것을 특징으로 하는 2차원의 열 방사체의 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 선택적 에칭 방법은 반응성 이온 에칭법, 유도 결합 플라즈마 반응성 이온 에칭법 또는 화학적 이온 빔 에칭법인 것을 특징으로 하는 2차원의 열 방사체의 제조방법
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에너지 조사 소스;상기 에너지 조사 소스로부터 방출된 에너지 중 특정 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수하여 방출하는 2차원의 열 방사체; 및상기 열 방사체로부터 방출된 광을 전기에너지로 전환시키는 열 광전 디바이스;를 포함하며,여기서, 상기 2차원의 열 방사체는 산화세륨 광 결정을 함유하며, 주기적인 홀 패턴의 캐비티 구조가 형성되어 페브리-페로 공동 공진을 발생시킴으로써 소정 밴드 갭 이상의 광자를 선택적으로 방출하도록 구성되고,상기 산화세륨 광 결정의 그레인 사이즈는 120 내지 200 nm 범위인 열 광전 변환 시스템
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제14항에 있어서, 상기 에너지 조사 소스는 200 내지 3000 nm의 파장 대역의 에너지를 조사하는 것임을 특징으로 하는 열 광전 변환 시스템
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제14항에 있어서, 상기 열 광전 디바이스의 밴드 갭은 0
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제16항에 있어서, 상기 열 광전 디바이스는 GaSb, GaInAs, 또는 InGaAsSb 재료를 기반으로 하는 것임을 특징으로 하는 열 광전 변환 시스템
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