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하나 이상의 발광 소재를 포함하는, 고분자 비드;상기 고분자 비드를 둘러싸는, 고분자 층; 및상기 고분자 층 위에 위치되는, 무기 보호층;을 포함하는,고안정성 발광 비드
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제1항에 있어서,상기 고분자 비드는, 용매 팽윤성인 것을 특징으로 하는, 고안정성 발광 비드
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제1항에 있어서,상기 고분자 층의 고분자는 가교성 고분자인 것을 특징으로 하는, 고안정성 발광 비드
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제1항에 있어서,상기 고분자 층의 고분자는, 상기 고분자 비드의 고분자 대비 가교도가 높은 것을 특징으로 하는, 고안정성 발광 비드
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제1항에 있어서,상기 고분자 층의 고분자는, 상기 고분자 비드의 고분자와 동종인 것을 특징으로 하는, 고안정성 발광 비드
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제1항에 있어서,상기 무기 보호층은 유전체, 금속 산화물, 금속 질화물, 실리카계 물질, 및 규소 산화물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 고안정성 발광 비드
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제1항에 있어서,상기 고분자 비드 위에 형성된 고분자 층 및 무기 보호층은, 1 내지 50 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는, 고안정성 발광 비드
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8
고분자 비드 내로 발광 소재를 함유시키는 단계;상기 발광 소재가 함유된 고분자 비드 위에, 고분자 층을 형성하는 단계; 및상기 고분자 층 위에, 무기 보호층을 형성하는 단계;를 포함하는,제1항의 고안정성 발광 비드의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 무기 보호층 형성 단계는, 졸-겔 방식으로 상기 고분자 층 표면에 산화물 층을 형성하는 것인, 고안정성 발광 비드의 제조방법
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10
제8항에 있어서,상기 고분자 층 형성 단계는, 상기 고분자 비드의 표면을 가교성 고분자가 둘러싸는 것이되,상기 고분자 층의 가교성 고분자는, 상기 고분자 비드의 고분자 대비 가교도가 높은 것인, 고안정성 발광 비드의 제조방법
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제1항의 고안정성 발광 비드를 포함하는, 발광 소자
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