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회전형 수직형 HVPE 시스템의 리액터 장치

  • 기술번호 : KST2020008131
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요약 본 발명은 회전형 수직형 HVPE 시스템의 리액터 장치에 관한 것으로, 기존의 수펑형 타입의 리액터 구조가 아닌 회전형 수직형 타입의 리액터 구조로서 5um ~ 450um 이상의 고품질의 에피 박막을 일정한 두께로 미세 Gas(HCI, NH3, N2)조절이 가능한 회전형 리액터 공법으로 HCI과 NH3의 층류(Laminar flow)를 형성시킴으로서, GaN 에피박막의 일정률(uniformity)을 향상시키고 고른 두께의 증가로 전위밀도와 결정성을 개선시켜 내부 양자 효율을 증가시키므로, 본 발명으로 증착된 에피 박막을 이용하여, 전력반도체, 태양광, rf 소자, 레이져 다이오드, 적외선 센서 등에 응용시 제품의 성능을 획기적으로 개선시킬 수 있다.
Int. CL C30B 25/02 (2006.01.01) C30B 25/10 (2006.01.01) C30B 25/16 (2006.01.01)
CPC C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01) C30B 25/02(2013.01)
출원번호/일자 1020160097728 (2016.08.01)
출원인 주식회사 엘광전자
등록번호/일자 10-1921082-0000 (2018.11.16)
공개번호/일자 10-2018-0014456 (2018.02.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.10.12)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘광전자 대한민국 경기도 시흥시 엠티

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한경섭 대한민국 경기도 군포시 수리산로 *** 백두한양아파트 *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 최학현 대한민국 서울특별시 금천구 디지털로 ***, 우주빌딩*층 우주국제특허법률사무소 (가산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 기술보증기금 (취급지점:시화기술평가센터) 부산광역시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0744246-19
2 보정요구서
Request for Amendment
2016.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0121581-03
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0798269-68
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0798301-32
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2016.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0989528-13
6 보정요구서
Request for Amendment
2016.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0153435-39
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-1069550-18
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2017-0011435-48
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0755370-12
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.12.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-1209073-26
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.12.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-1209072-81
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2018.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0270287-67
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2018-0602509-16
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0602510-52
16 등록결정서
Decision to grant
2018.10.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0697191-20
17 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.02.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5003597-47
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.23 수리 (Accepted) 4-1-2020-5067925-70
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5068936-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소오스 존을 포함하는 히터부;리액터 존을 포함하며 상기 히터부 아래 형성된 메인 챔버부;상기 메인 챔버부 하단에 형성되어 웨이퍼를 로딩하는 웨이퍼 홀더부를 포함하며,상기 소오스 존(source zone)에서는 GaCl이 형성되는 공간으로서 온도는 섭씨 800 ~ 950도의 온도 유지 구간으로, 1차 2차 3차 Ga 보트가 한 그룹으로 Ga 보트(boat)가 층층별 계단형태로 설계되었으며, 1차 GaCl, 2차 GaCl, 3차 GaCl Gas을 생성시키는 구조로 되어 상기 소오스 존 내에 3개 그룹으로 설계되고,상기 리액터 존에서는 1 내지 27개의 HCI을 미세 공급 및 조정하는 mfc을 이용해 2sccm에서 550sccm까지 미세 조정하고, NH3와 N2, H2가스 조절을 통해 상기 리액터 존의 온도 섭씨 1000 ~ 1150도에서 상기 웨이퍼 홀더부의 회전을 통해 HCI과 NH3의 층류를 형성시켜 에피 박막을 일정률(UNIFORMITY)한 두께로 조절하는 것을 특징으로 하는 회전형 수직형 HVPE 시스템의 리액터 장치
2 2
제 1항에 있어서,상기 메인 챔버부는 GaN 가 형성되는 공간으로써, 열처리(process) 온도가 1000도에서 1200도의 온도 유지구간에서 직경 2인치 기판인 사파이어기판 또는 Si-C기판, Silicon기판, AlN 기판을 25장, 또는 직경 6인치 기판 5장을 탑재하는 웨이퍼 홀더부를 로딩 및 가열하는 라운드 형태의 발열부 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 회전형 수직형 HVPE 시스템의 리액터 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 웨이퍼 홀더부는 로테이션 모터를 포함하며, 로테이션 회전을 결정하는 부분으로 회전속도는 분당 최대 100회전까지 회전할 수 있는 구조로 설계된 것으로 특징으로 하는 회전형 수직형 HVPE 시스템의 리액터 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.