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제1 도전형 물질로 형성되는 제1 에미터(emitter)층;상기 제1 에미터(emitter)층 상에 제2 도전형 물질로 수직 형성되는 제1 베이스(base)층;상기 제1 베이스(base)층 상에 상기 제1 도전형 물질로 수직 형성되는 제2 베이스(base)층; 및상기 제2 베이스(base)층 상에 상기 제2 베이스(base)층과 쇼트키 컨택(Schottky Contact)을 이루는 메탈 물질로 수직 형성되는 제2 에미터(emitter)층을 포함하고,상기 제2 에미터(emitter)층은 300K 내지 400K의 온도 범위에서 1
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제1항에 있어서,상기 메탈 물질은 금(Au), 코발트(Co), 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 류테늄(Ru) 중 적어도 하나 이상을 포함하는2단자 수직형 사이리스터 기반 1T 디램
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제1항에 있어서,상기 제1 에미터(emitter)층은 상기 제1 도전형 물질을 대체하여 상기 제1 베이스(base)층과 쇼트키 컨택(Schottky Contact)을 이루는 메탈 물질로 형성되는2단자 수직형 사이리스터 기반 1T 디램
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제1 도전형 물질로 형성되는 제1 에미터(emitter)층;상기 제1 에미터(emitter)층 상에 제2 도전형 물질로 수직 형성되는 제1 베이스(base)층;상기 제1 베이스(base)층 상에 상기 제1 도전형 물질로 수직 형성되는 제2 베이스(base)층; 및상기 제2 베이스(base)층 상에 상기 제2 베이스(base)층과 쇼트키 컨택(Schottky Contact)을 이루는 메탈 물질로 수직 형성되는 제2 에미터(emitter)층을 포함하고,상기 제2 에미터(emitter)층은 300K 내지 400K의 온도 범위에서 0
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 물질은 n형 불순물을 포함하고,상기 제2 도전형 물질은 p형 불순물을 포함하는 2단자 수직형 사이리스터 기반 1T 디램
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메탈 물질로 형성되는 제1 에미터(emitter)층;상기 제1 에미터(emitter)층 상에 상기 제1 에미터(emitter)층과 쇼트키 컨택(Schottky Contact)을 이루는 제2 도전형 물질로 수직 형성되는 제1 베이스(base)층;상기 제1 베이스(base)층 상에 제1 도전형 물질로 수직 형성되는 제2 베이스(base)층; 및상기 제2 베이스(base)층 상에 상기 제2 도전형 물질로 수직 형성되는 제2 에미터(emitter)층을 포함하고,상기 제2 에미터(emitter)층은 300K 내지 400K의 온도 범위에서 1
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제7항에 있어서,상기 제2 에미터(emitter)층은 상기 제2 도전형 물질을 대체하여 상기 제2 베이스(base)층과 쇼트키 컨택(Schottky Contact)을 이루는 메탈 물질로 형성되는2단자 수직형 사이리스터 기반 1T 디램
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제7항에 있어서,상기 메탈 물질은 금(Au), 코발트(Co), 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 류테늄(Ru) 중 적어도 하나 이상을 포함하고,상기 제1 도전형 물질은 n형 불순물을 포함하며,상기 제2 도전형 물질은 p형 불순물을 포함하는 2단자 수직형 사이리스터 기반 1T 디램
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제1 도전형 물질로 형성되는 제1 에미터(emitter)층;상기 제1 에미터(emitter)층 상에 제2 도전형 물질로 수직 형성되는 제1 베이스(base)층;상기 제1 베이스층 상에 상기 제1 도전형 물질로 수직 형성되는 제2 베이스(base)층;상기 제2 베이스(base)층 상에 상기 제2 베이스(base)층과 쇼트키 컨택(Schottky Contact)을 이루는 메탈 물질로 수직 형성되는 제2 에미터(emitter)층;상기 제2 에미터(emitter)층 상에 상기 제1 도전형 물질로 수직 형성되는 제3 베이스(base)층;상기 제3 베이스(base)층 상에 상기 제2 도전형 물질로 수직 형성되는 제4 베이스(base)층; 및상기 제4 베이스(base)층 상에 상기 제1 도전형 물질로 형성되는 제3 에미터(emitter)층을 포함하고,상기 제2 에미터(emitter)층은 300K 내지 400K의 온도 범위에서 1
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제10항에 있어서,상기 메탈 물질은 금(Au), 코발트(Co), 구리(Cu), 철(Fe), 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 류테늄(Ru) 중 적어도 하나 이상을 포함하고,상기 제1 도전형 물질은 n형 불순물을 포함하며,상기 제2 도전형 물질은 p형 불순물을 포함하는 2단자 수직형 사이리스터 기반 1T 디램
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